英特爾：7nm芯片仍適用摩爾定律

　　據(jù)PCWorld網(wǎng)站報道稱，制造處理器、圖形芯片和其他芯片的傳統(tǒng)方法最終將“失去動力”。據(jù)本周在ISSCC(國際固態(tài)電路會議)上發(fā)言的英特爾研究人員稱，未來數(shù)年芯片產(chǎn)業(yè)仍然有上升空間。

　　英特爾高級研究員馬克·玻爾(Mark Bohr)將于周一晚上在一次研討會上討論把制造工藝由當(dāng)前的14納米提高到10納米或更先進(jìn)工藝所面臨的挑戰(zhàn)。

　　PCWorld指出，玻爾在與記者舉行的電話會議上表示，英特爾認(rèn)為，當(dāng)前半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展速度能維持到10納米(預(yù)計(jì)2016年)之后。無需轉(zhuǎn)向成本高昂、高深的制造技術(shù)——例如紫外線激光，廠商就可以生產(chǎn)出7納米(預(yù)計(jì)時間為2018年)芯片。

　　今年是摩爾定律問世50周年。摩爾定律是由英特爾創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)提出的，即芯片上的晶體管密度每18個月翻一番。在現(xiàn)實(shí)世界中，芯片每2年左右發(fā)展一代，速度更快，能耗更低。

　　硅芯片生產(chǎn)工藝相當(dāng)復(fù)雜。芯片由光在硅片上“蝕刻”而成，為了改進(jìn)芯片制造工藝，芯片廠商必須不斷縮減光線波長。如果芯片廠商做不到這一點(diǎn)——或不能經(jīng)濟(jì)地做到這一點(diǎn)，芯片改進(jìn)的進(jìn)程就會停止。

　　英特爾：14納米“Broadwell”技術(shù)逐步走上正軌

　　英特爾在ISSCC上將宣讀5篇論文，其中3篇與14納米工藝有關(guān)。英特爾還將參與與10納米工藝有關(guān)的研討會。

　　PCWorld表示，受制造問題影響，英特爾被迫把14納米“Broadwell”芯片發(fā)布時間推遲了數(shù)個月，希望在轉(zhuǎn)向10納米工藝時避免“重蹈覆轍”。在被問到原因時玻爾表示，“我認(rèn)為我們可能低估了需要學(xué)習(xí)的東西，像14納米工藝這樣的技術(shù)，需要進(jìn)行更長時間的試驗(yàn)。這會導(dǎo)致產(chǎn)品開發(fā)速度比預(yù)期的要慢，提高成品率需要更長的時間。但現(xiàn)在我們的成品率已經(jīng)相當(dāng)高。”

　　玻爾表示，英特爾試驗(yàn)性10納米生產(chǎn)線的速度比14納米生產(chǎn)線快50%，這將使10納米工藝開發(fā)工作能按計(jì)劃進(jìn)行。

　　對于PC市場來說這是個好消息。但是，如果芯片產(chǎn)業(yè)能維持制造技術(shù)未來數(shù)年不發(fā)生重大變化，這將是一個更好的消息。