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Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

作者: 時間:2015-03-19 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商正在利用其擴展溫度(ET)中壓(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%,可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標準值的高三倍。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/271245.htm

  這一新的ET 產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標準,換言之,其最大結(jié)溫可高達150° C,超過標準150° C MOSFET能達到的125° C,使更大的設(shè)計裕量成為可能。該產(chǎn)品系列包括19款新設(shè)備,提供5 mm x 6 mm和3 mm x 3 mm標準封裝和新的TO-Leadless (TO-LL)封裝。這些設(shè)備提供廣泛的電壓額定值,包括30V、40V、60V、80V、100V、120V和150V。

  Fairchild的ET MOSFET系列將卓越的耐高溫性能、更高的功率密度和更高的可靠性相結(jié)合,是用于各種應(yīng)用比如DC-DC、AC-DC和電機驅(qū)動的理想選擇,應(yīng)用范圍包括航空電子設(shè)備、微型太陽能逆變器、電動工具和電信。

  iFET產(chǎn)品系列副總裁Suman Narayan表示:“作為Fairchild整條ET MOSFET產(chǎn)品線的最新成員,在設(shè)計能夠或必須耐受高溫的產(chǎn)品時,該新系列產(chǎn)品為設(shè)計者提供了更大的設(shè)計裕量,而無需依賴散熱片或其它增加產(chǎn)品成本和復(fù)雜性的散熱方法。 這些新設(shè)備秉承Fairchild的傳統(tǒng),為設(shè)計者帶來出色的解決方案,與競爭產(chǎn)品相比大幅增加了設(shè)計裕量。”

  可在175° C下工作的能力使得這些新ET MOSFET特別適合必須在高溫環(huán)境中工作的產(chǎn)品,如太陽能和以太網(wǎng)供電(POE)應(yīng)用。 此外,設(shè)備的可靠性大幅提高,對于在惡劣環(huán)境中使用的產(chǎn)品是一大優(yōu)勢,如航空電子設(shè)備、鐵路和電動工具應(yīng)用。

  在超小封裝內(nèi)提供擴展溫度范圍和更高的功率密度是該系列的主要優(yōu)勢,制造商可獲得更多的產(chǎn)品設(shè)計靈活性。 它可以幫助設(shè)計者縮小產(chǎn)品尺寸,同時保持相同的功率輸出,或者在不增加尺寸的條件下提高功率輸出。

  Fairchild將參加3.16-19在北加州夏洛特舉行的2015年APEC展覽,展位是905。我們的技術(shù)專家將在現(xiàn)場討論和解答關(guān)于擴展溫度(ET)中壓MOSFET的問題和其他高能效解決方案。

  欲了解更多信息或采購該類器件,請訪問:https://info.fairchildsemi.com/FY15M03-PR-ET_MOSFET-2_MOSFET_Resource_Page.html



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