力晶打造物聯(lián)網(wǎng)iRAM芯片　轉(zhuǎn)型之路避開(kāi)臺(tái)積電

　　力晶成功轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，更瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)商機(jī)推出iRAM解決方案，整合嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、ARM架構(gòu)處理器芯片和通訊技術(shù)成為SoC整合型芯片，預(yù)計(jì)下半年出貨，全面擁抱物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨。

　　力晶現(xiàn)在渾身上下都是“晶圓代工魂”，DRAM產(chǎn)品對(duì)力晶而言只是眾多布局的一小塊，除了繼續(xù)替臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司晶豪、鈺創(chuàng)、力積等代工SDRAM芯片，以及協(xié)助存儲(chǔ)器模組大廠金士頓(Kingston)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM芯片外，力晶旗下的12吋晶圓廠已經(jīng)全面擁抱晶圓代工產(chǎn)品線。

　　有別于一般晶圓代工廠只專(zhuān)注于生產(chǎn)制造而不涉及設(shè)計(jì)，力晶比較像是整合元件廠(IDM)，同時(shí)有設(shè)計(jì)和制造兩個(gè)部分，旗下包括面板驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片、影像感測(cè)器(CIS)、NFC芯片、車(chē)用存儲(chǔ)器、物聯(lián)網(wǎng)芯片等，可為客戶(hù)量身訂作客制化芯片，也可以直接提供整合型芯片給客戶(hù)采購(gòu)。

　　迎接物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際半導(dǎo)體等陸續(xù)揭橥布局計(jì)劃，從打造技術(shù)平臺(tái)、制程完整度，到扮演伯樂(lè)物色具有潛力的新創(chuàng)公司都是目標(biāo)。力晶也是默默鴨子滑水，集結(jié)旗下制程平臺(tái)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為物聯(lián)網(wǎng)打造專(zhuān)用的iRAM芯片，成果有機(jī)會(huì)在2015年浮上臺(tái)面。

　　所謂的iRAM芯片，是集合物聯(lián)網(wǎng)所需要的三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)，分別為低功耗的ARM架構(gòu)處理器芯片、嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)，以及Bluetooth 4.0/NFC/Wi-Fi通訊芯片，將這三種技術(shù)做成一顆整合型芯片，目前研發(fā)進(jìn)度順利，傳出下半年會(huì)進(jìn)入量產(chǎn)。

　　物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)芯片極重視低功耗，因此采用ARM架構(gòu)處理器芯片，臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際等也打造超低功耗制程平臺(tái)(Ultra-Low Power Platform)，但屬于特殊制程的eFlash技術(shù)的重要性，在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，其實(shí)不亞于低功耗扮演的角色。

　　半導(dǎo)體業(yè)者分析，多數(shù)半導(dǎo)體晶圓代工廠在eFlash技術(shù)上都不夠扎實(shí)，尤其是新崛起的大陸半導(dǎo)體廠eFlash技術(shù)實(shí)力都不夠，即使是授權(quán)自SST等IP業(yè)者以快速取得eFlash技術(shù)，也可能因?yàn)榱慨a(chǎn)的晶圓片數(shù)不夠面臨技術(shù)瓶頸，未來(lái)需要更多的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)來(lái)證明技術(shù)的可行性。

　　力晶因?yàn)橐恢庇蠳AND Flash芯片產(chǎn)品，因此在整合eFlash技術(shù)上已經(jīng)有一定的基礎(chǔ)，在進(jìn)入此技術(shù)領(lǐng)域上相當(dāng)順利。

　　力晶靠著從存儲(chǔ)器廠轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，2014年獲利超過(guò)新臺(tái)幣100億元，2015年獲利達(dá)新臺(tái)幣120億~130億元，2016年預(yù)計(jì)也將獲利超過(guò)百億元，創(chuàng)下獲利連續(xù)3年超過(guò)百億元的紀(jì)錄，日前向銀行團(tuán)籌組新臺(tái)幣150億元的貸款，借此終結(jié)長(zhǎng)期紓困。

　　DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走向穩(wěn)定期，價(jià)格起伏有限，經(jīng)歷近期價(jià)格修正后，下半年DRAM價(jià)格會(huì)逐漸趨于穩(wěn)定，尤其2015年預(yù)計(jì)有三星電子(Samsung Electronics)Galaxy S6和蘋(píng)果(Apple)的iPhone 6S系列新機(jī)問(wèn)世，將會(huì)轉(zhuǎn)用3GB和2GB的Mobile DRAM芯片，也帶動(dòng)許多標(biāo)準(zhǔn)型DRAM芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)到Mobile DRAM芯片上，帶動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM芯片跌勢(shì)趨緩。

　　另外，力晶的NAND Flash芯片持續(xù)出貨，臺(tái)系存儲(chǔ)器廠陸

　　續(xù)切入低容量的NAND Flash領(lǐng)域，力晶和華邦、旺宏三家臺(tái)廠成為臺(tái)灣NAND Flash芯片三劍客，力晶也提供NAND Flash芯片給客戶(hù)做成MCP芯片，主打智能型手機(jī)市場(chǎng)。