閃存容量突破性進展！

　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術。

　　這一全新3D NAND技術由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。

　　當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限，給半導體存儲器行業(yè)帶來嚴峻挑戰(zhàn)。摩爾定律描繪了持續(xù)性能提升與成本降低的發(fā)展軌跡。而通過保持摩爾定律與閃存存儲解決方案的一致性，3D NAND技術將有望對閃存存儲解決方案產(chǎn)生重大影響，從而讓閃存存儲得到更廣泛的應用。

　　“通過鎂光與英特爾的通力協(xié)作，雙方共同打造出了業(yè)界領先的固態(tài)存儲技術。該技術提供了當今其他閃存技術難以匹敵的更高密度、性能和效率，”鎂光科技內(nèi)存技術與解決方案部門副總裁 Brian Shirley 表示：“這一3D NAND技術擁有徹底改變市場格局的潛力。迄今為止，從智能手機到針對閃存優(yōu)化的超級計算機，我們所看到的閃存所產(chǎn)生的影響還僅僅是冰山一角。”英特爾公司高級副總裁兼非易失性存儲解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 Rob Crooke 表示：“該項技術創(chuàng)新可顯著改善密度與成本問題，并將顯著加快固態(tài)存儲在計算平臺中的應用。”

　　創(chuàng)新工藝架構

　　這項技術最重要的特點之一是其基礎存儲單元。英特爾和鎂光選擇使用的浮柵存儲單元是業(yè)界廣泛使用的一種設計。它基于多年來大批量制造的平面結構閃存設計改進而成，并首次在3D NAND技術中使用。而浮柵單元是提升性能、質(zhì)量和可靠性的一個關鍵設計選擇。

　　全新的3D NAND技術可垂直堆疊 32 層閃存單元，能夠在標準封裝內(nèi)實現(xiàn) 256Gb 多層單元 (MLC) 和 384Gb 三層單元 (TLC) 芯片。這些容量可使口香糖大小的固態(tài)盤提供超過 3.5 TB 的存儲容量，同時使標準 2.5 英寸固態(tài)盤能夠提供超過 10 TB 的存儲容量。由于存儲容量可通過垂直堆疊單元來實現(xiàn)，單個存儲單元的尺寸可以變得非常大。這將有望提高產(chǎn)品的性能和耐用性，甚至可以使 TLC 設計出色地滿足數(shù)據(jù)中心存儲的需求。

　　該3D NAND設計的主要產(chǎn)品特性包括：

　　大容量：存儲容量可達到現(xiàn)有3D技術的三倍，每塊芯片的存儲容量最高可達48GB。該3D技術可支持在單個指尖大小的封裝內(nèi)提供 0.75 TB 的存儲容量。

　　每GB閃存成本更低：第一代3D NAND具有比平面結構的NAND更高的成本效益。

　　快速：更高的讀/寫帶寬、I/O速度和隨機讀性能。

　　綠色：全新睡眠模式支持低功耗使用，允許切斷不活躍NAND的芯片的電源(即使同一封裝內(nèi)其他芯片處于活躍狀態(tài)也不受影響)，從而顯著降低待機模式下的功耗。

　　智能：相比前幾代產(chǎn)品，一系列創(chuàng)新特性顯著改進了延遲問題和提高了耐用性，同時進一步簡化了系統(tǒng)集成工作。

　　256Gb MLC版本的3D NAND芯片當前已向部分合作伙伴提供樣品，384Gb TLC版本的3D NAND芯片將于今年春末開始提供樣品。目前，晶圓廠生產(chǎn)線已開始初步生產(chǎn)，這兩款設備將在今年第四季度全面投產(chǎn)。兩家公司還在開發(fā)基于3D NAND技術的獨立固態(tài)盤解決方案系列，并預計于明年推出相關產(chǎn)品。