中國有錢也玩不來主流DRAM？

　　中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，從武岳峰等資本公司聯(lián)合收購 ISSI，到面板廠京東方宣告進入 DRAM 市場，搶進 DRAM市場的意圖愈發(fā)明顯，然而，挾著重金，外界擔心中國 DRAM 廠將使現(xiàn)在漸趨平衡的生態(tài)再起波瀾，中國進入市場對于臺廠又會造成什么樣的威脅，研究機構(gòu) Bernstein Research 從幾個面向分析，認為中國若朝主流 DRAM 發(fā)展勝算并不大。

　　中國存儲器產(chǎn)業(yè)布局仍未明朗

　　中國國家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金宣告投入 1，200 億人民幣(約合 6，080 億新臺幣)，今年 3 月中國武岳峰資本等公司資本聯(lián)合買下 ISSI (Integrated Silicon Solution)，宣告中國半導體布局伸向 DRAM 產(chǎn)業(yè)，ISSI 主要發(fā)展利基型 DRAM 與 SRAM，外界預估對主流存儲器市場的影響并不大。

　　4 月初再傳中國面板廠京東方也意圖進入存儲器市場，中國芯謀研究(ICwise )首席半導體分析師顧文軍發(fā)文指稱，京東方?jīng)Q定涉足存儲器市場的新聞為子虛烏有，但也未把話說死，顧同篇發(fā)言也引述京東方董事長王東升先前強調(diào)會關(guān)注并且 涉足半導體的發(fā)言。至少在短期之間，京東方進軍 DRAM 產(chǎn)業(yè)仍未明朗。

　　據(jù)悉，中國半導體扶植政策下，將選擇一個省市設(shè)置本土的 DRAM 廠，上海、北京、合肥等五個省市爭取之中，誰能勝出、策略為何也還未有定數(shù)。

　　比較確定的是，武漢新芯集成電路(XMC) 今年 2 月宣布與美國 NOR 快閃存儲器領(lǐng)導廠商 Spansion 合作研發(fā) 3D NAND 技術(shù)，第一個產(chǎn)品預計于 2017 年問世。目前 3D NAND 技術(shù)除了三星已正式量產(chǎn)，其他大廠仍處送樣階段或預計下半年小規(guī)模量產(chǎn)。技術(shù)仍屬起步階段，制作成本仍高，武漢新芯與 Spansion 發(fā)展 3D NAND 技術(shù)，還得視能否兼顧成本以及每個存儲器的電性表現(xiàn)。

　　鉅額投資不一定取得了市占

　　存儲器產(chǎn)業(yè)為典型資本密集與技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)。先從資本談起，光土地、廠房不含設(shè)備，可能就得耗掉 150~200 億臺幣，研究機構(gòu) Bernstein 預估，若要取得 DRAM 或 NAND Flash 其中一個市場的一席之地，至少需 15% 左右的市占，以 2014 年第四季產(chǎn)能來估算，一個月產(chǎn)出得達 20 萬片(資本支出大約在 200 億美元，約 6，260 億新臺幣左右)。

　　追逐市占的過程中，若產(chǎn)能一個月增加到 20 萬片的幅度，市場將出現(xiàn)超額供給，對于初期生產(chǎn)成本較高的新進者而言，價格會掉到成本以下，新進者即便前面 16~24 個月之間投入 200 億美元以上的資本支出，十年內(nèi)仍會落后產(chǎn)業(yè)先進者一個世代以上。Bernstein 預估，新進者投入 DRAM 產(chǎn)業(yè)，將得承受前面十年 400 億美元(約 1.3 兆新臺幣)的虧損，投入 NAND 產(chǎn)業(yè)前面十年也要有面臨 350 億美元(約 1.1 兆新臺幣)損失的心理準備。

　　▲ Bernstein 預估 DRAM 產(chǎn)業(yè)新進者，前十年將得面對 400 億美元以上的虧損。