SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲芯片大揭秘

　　現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日，Intel & Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop，Intel的技術(shù)人員在會議上具體揭示了Intel 3D NAND的計劃以及一些技術(shù)上的細節(jié)。

　　這場會議在深圳JW萬豪酒店舉行，參與會議的有相當多的業(yè)內(nèi)朋友。來自Intel美國的產(chǎn)品工程經(jīng)理Todd Myers，NAND產(chǎn)品交易開發(fā)工程師Todd Myers也都給在座的朋友講述了3D NAND的各種細節(jié) 。

　　本次會議的舉辦方Richmax香港盈興科技是Intel FLASH的中國區(qū)總代理，它也是SupersSpeed超極速的母公司。

　　3D NAND的好處自然就是能夠比現(xiàn)在的閃存提供功能大的存儲空間，存儲密度可以達到現(xiàn)有閃存的三倍以上，未來甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來。

　　另外還有一個重要特性，就是(每單位容量)成本將會比現(xiàn)有技術(shù)更低，而且因為無需再通過升級制程工藝、縮小cell單元以增加容量密度，可靠性和性能會更好。

　　Intel在現(xiàn)在2D NAND時代是沒有做TLC閃存的，但是在即將到來的3D NAND時代，Intel將推出自己的TLC閃存。

　　另外還有一個非常重要的就是，TLC與MLC其實都是同一塊芯片，這點和現(xiàn)在三星的3D NAND差不多。的客戶可以根據(jù)自己的需求選擇閃存是工作在MLC模式還是TLC模式。在MLC模式下每Die容量是256Gb，而TLC模式下每Die容量是384Gb。

　　Intel 3D NAND目前會使用32層堆疊，電荷存儲量和當年的50nm節(jié)點產(chǎn)品相當，第二第三代產(chǎn)品依然會保持這樣的電荷量，以保證產(chǎn)品的可靠性。

　　會議上并沒有明確說明3D NAND到底是使用那種工藝，只說了用的是50nm到34nm之間的工藝。

　　Intel的3D NAND代號是L06B/B0KB

　　L06B是MLC產(chǎn)品的代號，采用ONFI 4.0標準，Die Size 32GB，Page Size 16KB，使用4-plane設(shè)計，雖然會帶來額外的延時，但同時也提供了比目前常見的2-plane設(shè)計閃存高1倍的讀寫吞吐量，閃存壽命是3000 P/E。

　　B0KB則是TLC產(chǎn)品的代號，由于是同一芯片所以許多東西都是L06B一樣，當然容量、性能與壽命什么的肯定不同，Die Size 48GB，閃存壽命是1500 P/E，由于是TLC所以需要ECC標準是更高的LDPC。

　　Intel 3D NAND全部會使用132-Ball BGA封裝，L06B可以從256Gb(32GB)到4096Gb(512GB)的產(chǎn)品，具體的請看上表，不過這款閃存的CE數(shù)其實是可以調(diào)的，這樣可以更容易的做出更大容量的SSD。

　　閃存有三種工作模式

　　MLC工作的模式有2-pass和1-pass兩種編程模式，默認的是2-pass編程模式，第一次編程lower page的數(shù)據(jù)寫入到NAND陣列里面，而第二次編程則會把upper page的數(shù)據(jù)寫入。1-pass編程模式的意思當然就是指一次編程就把lower page與upper page的數(shù)據(jù)都寫入到NAND陣列里面，這樣可以節(jié)省15%的編程時間，但是用這種算法的話閃存壽命會比兩步編程模式時低一些，低多少并沒有具體說明。

　　TLC的編程算法則要復雜很多了，第一步和MLC的一步編程模式相類似，就是直接把lower page與upper page一齊寫入到NAND陣列里面，第二步則是寫入extra page的數(shù)據(jù)，由于算法復雜，第二部編程時需要對數(shù)據(jù)進行ECC校驗。

　　上面所說閃存的2-pass MLC、1-pass MLC與TLC工作模式是可以用使用指令隨時切換的，這對廠家來說閃存的使用會變得非常靈活，當然了產(chǎn)品的用戶是不能這樣亂改工作模式的。

　　至于Intel的3D NAND什么時候會開始供應，今年Q3中旬會開始相各個合作伙伴提供測試樣品，MLC/TLC的都有，2015年Q4末開始大規(guī)模供貨，產(chǎn)品的定價會根據(jù)那時的市場情況再決定