英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片 可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性

　　英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導(dǎo)型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導(dǎo)型IGBT)IGBT芯片，非常適合現(xiàn)代高速列車和高性能電力機(jī)車，以及未來的HVDC輸電系統(tǒng)和傳動裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強(qiáng)。因此，它可以延長產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性，進(jìn)而最大限度降低系統(tǒng)維護(hù)工作量。

　　通過推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進(jìn)一步壯大其高性能6.5kV KE3 IGBT產(chǎn)品的系列。該芯片的電流密度之所以能夠得以提高，是因為它的正向和反向電流的有效硅面積都增加了，因而設(shè)計人員可以靈活提高系統(tǒng)輸出功率，而無需以加大外形尺寸為代價。或者，利用其更高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，可以在保持功率不變的情況下減少IGBT并聯(lián)數(shù)量，從而減小系統(tǒng)尺寸、減輕產(chǎn)品重量，并降低成本。

　　英飛凌的RCDC IGBT，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸IHV A高絕緣封裝，可輕松進(jìn)行替換現(xiàn)有產(chǎn)品。除有助于提高功率密度外，IGBT和二極管的單片集成還可大幅改善二極管I2T值，以及IGBT和二極管熱阻(Rth/Zth)。低熱阻確保器件在整個工作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)良好的散熱性能。更低實際結(jié)溫(Tvj)紋波，使器件有更長使用壽命，當(dāng)使用二極管柵極控制時，可讓設(shè)計人員通過權(quán)衡導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗來優(yōu)化總體效率。

　　供貨情況

　　RCDC模塊的工程樣品現(xiàn)已開始供貨，為了簡化并加快客戶設(shè)計，英飛凌提供多種設(shè)計支持，包括應(yīng)用筆記和評估驅(qū)動板等。評估套件計劃2015年第四季度發(fā)布。