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TMS320C6678存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能(上)

—— TMS320C6678存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能
作者: 時(shí)間:2015-06-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  DSP核讀SL2通常會(huì)通過(guò)L1D cache,所以,和訪問(wèn)LL2一樣,DSP核訪問(wèn)SL2的性能高度依賴cache。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/276392.htm

  XMC中還有一個(gè)prefetch buffer(8x128bytes),它可以被看作是一個(gè)額外的只對(duì)讀操作可用的cache。DSP核之外的每16-MB塊都可以通過(guò)MAR(Memory Attribute Register)的PFX(PreFetchable eXternally)bit 被配置為是否通過(guò)prefetch buffer讀,使能它會(huì)對(duì)多個(gè)主模塊共享的效率有很大幫助;它也能顯著地改善對(duì)SL2連續(xù)讀的性能。不過(guò),prefetch buffer對(duì)寫(xiě)操作沒(méi)有任何作用。

  SL2可以通過(guò)從0x0C000000開(kāi)始的缺省的地址空間訪問(wèn),這個(gè)空間總是cacheable,通常它也被配置為prefetchable。SL2可以通過(guò)XMC的配置被重映射到其它地址空間,通常重映射空間被用作non-cacheable, nonprefetchable 訪問(wèn)(當(dāng)然它也可以被設(shè)置為cacheable而且prefetchable)。通過(guò)缺省地址空間訪問(wèn)比通過(guò)重映射空間訪問(wèn)稍微快一點(diǎn),因?yàn)榈刂分赜成湫枰粋€(gè)額外的時(shí)鐘周期。

  由于L1D cache不會(huì)在寫(xiě)操作時(shí)被分配,并且這里的測(cè)試之前cache都被清空了,所以任何對(duì)SL2的寫(xiě)操作都通過(guò)L1D write buffer(4x16bytes)。對(duì)多個(gè)寫(xiě)操作,如果地址偏移小于16bytes,這些操作可能在write buffer中被合并成一個(gè)對(duì)SL2的寫(xiě)操作,從而獲得比較高的效率。XMC也有類(lèi)似的寫(xiě)合并buffer,它可以合并兩個(gè)在32 bytes內(nèi)的寫(xiě)操作,所以,對(duì)偏移小于32bytes的寫(xiě)操作,XMC的寫(xiě)buffer改善了寫(xiě)操作的性能。

  當(dāng)寫(xiě)偏移是N*256 bytes時(shí),每個(gè)寫(xiě)操作總是訪問(wèn)SL2相同的bank(SL2組織結(jié)構(gòu)是4 bankx2sub-bankx 32 bytes),對(duì)相同bank的連續(xù)訪問(wèn)間隔是4個(gè)時(shí)鐘周期。對(duì)其它的訪問(wèn)偏移量,連續(xù)的寫(xiě)操作會(huì)訪問(wèn)SL2不同的bank,這樣的多個(gè)訪問(wèn)的在流水線上可以被重疊起來(lái),從而使平均的訪問(wèn)時(shí)延比較小。

  圖5 比較了DSP核訪問(wèn)SL2和LL2的訪問(wèn)時(shí)延。對(duì)地址偏移小于16bytes的連續(xù)訪問(wèn),訪問(wèn)SL2的性能和LL2幾乎相同。而對(duì)地址偏移比較大的連續(xù)訪問(wèn),訪問(wèn)SL2的性能比LL2差。因此,SL2最適合于存放代碼。

  

 

  圖5 DSP核訪問(wèn)SL2和LL2的性能比較

  3.3 DSP核訪問(wèn)外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延

  DSP核訪問(wèn)外部DDR存儲(chǔ)器高度依賴cache。當(dāng)DSP核訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器時(shí),一個(gè)傳輸請(qǐng)求會(huì)被發(fā)給XMC。根據(jù)cacheable和prefetchable的設(shè)置,傳輸請(qǐng)求可能是下列情況中的一種:

  一個(gè)數(shù)據(jù)單元–如果存儲(chǔ)器空間是non-cacheable,nonprefetchable

  一個(gè)L1 cache line-如果存儲(chǔ)器空間是cacheable而沒(méi)有L2 cache,

  一個(gè)L2 cache line-如果存儲(chǔ)器空間是cacheable并且設(shè)置了L2 cache。

  如果要訪問(wèn)的數(shù)據(jù)在L1/L2 cache或prefetch buffer中,則不會(huì)有傳輸請(qǐng)求發(fā)出。

  如果被訪問(wèn)的空間是prefetchable的,可能還會(huì)產(chǎn)生額外的prefetch請(qǐng)求。

  外部存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以被緩存在L1 cache或/和L2 cache,或者都不用。DSP核之外的每16-MB存儲(chǔ)器塊都可以通過(guò)MAR(Memory Attribute Register)的PC(Permit Copy)bit被配置為是否通過(guò)cache訪問(wèn)。如果PC比特為0,這段空間就不是cacheable的。如果PC比特是1而L2 cache大小為0(所有LL2都被用作普通SRAM),那外部存儲(chǔ)器的內(nèi)容只會(huì)被L1 cache緩存。如果PC比特是1并且L2 cache大于0,則外部存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以被L1和L2 cache同時(shí)緩存。

  像訪問(wèn)SL2一樣,對(duì)外部存儲(chǔ)器的讀操作也可以利用XMC里的prefetch buffer。它可以通過(guò)MAR(Memory Attribute Register)的PFX(PreFetchable eXternally)bit來(lái)配置。

  多個(gè)訪問(wèn)之間的地址偏移(stride)顯著地影響訪問(wèn)效率,地址連續(xù)的訪問(wèn)可以充分地利用cache和prefetch buffer;大于或等于64字節(jié)的地址偏移導(dǎo)致每次訪問(wèn)都miss L1 cache因?yàn)長(zhǎng)1D cache行大小是64 bytes;大于或等于128字節(jié)的地址偏移導(dǎo)致每次訪問(wèn)都miss L2 cache因?yàn)長(zhǎng)2 cache行大小是128 bytes。

  如果發(fā)生cache miss,DSP需要等待外部數(shù)據(jù)傳輸完成。等待的時(shí)間是請(qǐng)求發(fā)出時(shí)間,數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間或數(shù)據(jù)返回時(shí)間的總和。

  圖6是在1GHz C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上測(cè)得的DSP核訪問(wèn)DDR的時(shí)延。DSP核執(zhí)行512個(gè)連續(xù)的LDDW(LoaD Double Word)或STDW(STore Double Word)指令所花的時(shí)間被測(cè)量,平均下來(lái)每個(gè)操作所花的時(shí)間被畫(huà)在圖中。測(cè)試中,L1D被配置成32KB cache,LL2的256KB被設(shè)置為cache。

  對(duì)LDB/STB和LDW/STW的測(cè)試表明,它們的時(shí)延與LDDW/STDW相同。

  注意,下面第二和第三個(gè)圖實(shí)際上是第一個(gè)圖左邊的放大。

  

 

  

 

  圖6 DSP核對(duì)DDR Load/Store的時(shí)延

  對(duì)地址偏移小于128 bytes的訪問(wèn),性能主要受cache的影響。

  L2 cache會(huì)在寫(xiě)操作時(shí)被分配,對(duì)任何寫(xiě)操作,cache控制器總是先把被訪問(wèn)的數(shù)據(jù)所在的cache行(128 bytes)讀進(jìn)L2 cache,然后在cache中改寫(xiě)數(shù)據(jù)。被改寫(xiě)是數(shù)據(jù)會(huì)在發(fā)生cache沖突或手工cache回寫(xiě)操作時(shí)被最終寫(xiě)到外部存儲(chǔ)里。當(dāng)寫(xiě)操作的地址偏移是1024 bytes的整數(shù)倍時(shí),多個(gè)訪問(wèn)在L2 cache中發(fā)生沖突的概率很大,所以L2 cacheable寫(xiě)操作的時(shí)延會(huì)顯著地增加。最壞的情況下,每個(gè)寫(xiě)操作都會(huì)導(dǎo)致一個(gè)cache行的回寫(xiě) (之前的數(shù)據(jù)因?yàn)闆_突而被替換/回寫(xiě))和一個(gè)cache行的讀入(新的數(shù)據(jù)被分配到cache中)。

  當(dāng)?shù)刂菲拼笥?12bytes時(shí),DDR頁(yè)(行)切換開(kāi)銷(xiāo)成為性能下降的主要因素。C6678 EVM上的DDR頁(yè)(行)大小或bank寬度是8KB,而DDR3存儲(chǔ)器包含8個(gè)banks。最壞的情況是,當(dāng)訪問(wèn)地址偏移量是64KB時(shí),每個(gè)讀或?qū)懖僮鞫紩?huì)訪問(wèn)相同bank中一個(gè)新的行,而這種行切換會(huì)增加大約40個(gè)時(shí)鐘周期的時(shí)延。請(qǐng)注意,不同的DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延可能會(huì)不一樣。

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