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微光CMOS圖像傳感器讀出電路設計

作者: 時間:2015-07-06 來源:網(wǎng)絡 收藏

  當前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主,隨著工藝及電路設計技術的發(fā)展,微光的性能在不斷提高,通過采用專項技術,微光的性能已接近EMCCD的性能,揭開了CMOS在微光領域應用的序幕。隨著對微光CMOS圖像傳感器研究的進一步深入,在不遠的未來,微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應用要求,在微光器件領域占據(jù)重要地位。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/276859.htm

  讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分,它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉(zhuǎn)換成后續(xù)信號處理電路可以處理的電信號,它的噪聲水平限制著CMOS圖像傳感器在微光下的應用。微光條件下像素的輸出信號十分微弱,任何過大的電路噪聲、偏移都可以將信號湮沒,因此提高讀出電路輸出信號的SNR是微光設計的關鍵之一。本文采用的新型電容反饋跨阻放大型讀出電路CTIA電路,可以提供很低的探測器輸入阻抗和恒定的探測器偏置電壓,在從很低到很高的背景范圍內(nèi),都具有非常低的噪聲,其輸出信號的線性度和均勻性也很好,適合微弱信號的讀出。

  1電路設計

  為完成探測器輸出電流向電壓的精確轉(zhuǎn)化,所設計的電路由CTIA和相關雙采樣(CDS)組成,CTIA由反向放大器和反饋積分電容構成的一種復位積分器。其增益大小由積分電容確定。圖1為典型CTIA電路結構。

  

 

  圖1典型CTIA結構

  當Reset信號為高時,MOS開關開通,由運算放大器的虛短特性可知,輸入端的電壓與Vref相等,此時積分電容兩端電壓相等,都為Vref.當Reset信號變?yōu)榈碗娖綍r,MOS開關關斷,由于輸入端的電壓由Vref控制,因此在積分電容Cf右極板上產(chǎn)生感應電荷并慢慢積累,右極板電壓逐漸增大,積分過程開始。最后電壓通過相關雙采樣電路讀出。

  2關鍵單元電路設計

  2.1高增益低噪聲CTIA電路

  為了提高讀出電路的增益,使電路能在比較短的積分時間內(nèi),讀出PA級的電流,電路中的積分電容要非常小。同時為了提高信噪比,在減小積分電容的同時,電路噪聲也要減小。在新型電路結構中,采用T型網(wǎng)絡電容加nmos開關,電路結構如圖2所示。

  

 

  圖2高增益低噪聲CTIA電路

  由于C1和C2的作用,使得Cf在CTIA反饋回路中的有效值減少,其有效值為:Cfb= ( C2Cf)/(Cf +C1+C2),這樣Cf可以取相對較大的值,避免了使用小電容,因為小電容在工藝上較難實現(xiàn),且誤差較大。在本電路中,Cf=20 fF,C2=18 fF,C1=150 fF,則Cfb=2 fF.

  圖3為該電路的工作時序。

  

 

  圖3高增益低噪聲CTIA電路工作時序

  該電路可工作在高增益模式或低增益模式。在高增益模式,當reset為高電平時,gaIn導通,這時有效電容為Cf,當reset為低電平時,gaIn關斷,此時的積分電容為Cf、C1和C2組成的T型網(wǎng)絡電容,這樣保證了電路在復位時大電容,可有效降低噪聲,積分時小電容,可大大提高增益。當gaIn一直為高電平時,電路工作在低增益模式。

  2.2相關雙采樣

  相關雙采樣電路由兩組電容和開關組成,電路工作過程如下。首先,開始積分,R導通,相關雙采樣電路先讀出像素的復位信號,存儲Vreset電壓到電容Creset中。積分完成,開關S導通,將電壓Vread儲存到電容Csig中。最后,將存儲在兩個電容之上的電壓值相減得到最終的像素輸出電壓值:

  Vout=Vouts -Voutr

  這種結構可以很好的消除CMOS圖像傳感器中像素的復位噪聲、1/f噪聲以及像素內(nèi)的固定模式噪聲。

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關鍵詞: CMOS 圖像傳感器

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