FMS2015XPoint內(nèi)存之思:這個東西屬不屬于PCM?
美國閃存峰會上的演講提出假設(shè)性觀點。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/278941.htm
3D XPoint內(nèi)存晶圓近照。
本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯(lián)合打造的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)作出了相關(guān)猜測——包括這項技術(shù)的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運用。我們就其中的部分內(nèi)容向知識淵博的從業(yè)專家進(jìn)行了咨詢,并以此為基礎(chǔ)提出自己的觀點——同樣圍繞這兩點,該技術(shù)究竟算是什么、未來又將如何發(fā)展。
本月13號星期四在301-C會話環(huán)節(jié)中作出的這次演講題為《后閃存生活——新型非易失性內(nèi)存技術(shù)(新技術(shù)追蹤)》。下圖中所包含的演示資料則源自由Intuitive Cognition Consulting負(fù)責(zé)人Dave Eggleston所作出的《3D XPoint MRAM與RRAM:未來就在當(dāng)下》演講。
順帶一提,目前大家還無法直接從閃存記憶體峰會的官方網(wǎng)站上獲取到這些資料——確實有點遺憾。也許再過一、兩天,相關(guān)信息才會正式上線。
Tegile公司的Marc Farley親自參加了這一主題演講,并就相關(guān)內(nèi)容此發(fā)表了以下推文。
可以看到,Eggleston認(rèn)為XPoint屬于經(jīng)過品牌調(diào)整的相變記憶體(簡稱PCM)。上圖中的演示內(nèi)容截取自Dave Eggleston的演示資料,其中包括英特爾公司未來可能采取的XPoint內(nèi)存使用方式。
下面通過放大圖一起來看更多細(xì)節(jié)信息:
本屆閃存記憶體峰會2015大會上的Dave Eggleston演示文稿
我曾經(jīng)與某位知識淵博的業(yè)內(nèi)人士就此進(jìn)行過交流,對方認(rèn)為XPoint內(nèi)存不應(yīng)被看作是PCM的品牌調(diào)整結(jié)果。XPoint確實在物理流程當(dāng)中使用了相變機制,但其主要革新成果體現(xiàn)在底層存儲單元材料以及選擇器的設(shè)計層面。業(yè)界普遍認(rèn)為這一成果要遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于東芝以及三星的STT-MRAM(即自旋矩磁性RAM)方案或者(根據(jù)這位業(yè)內(nèi)人士的說法)惠普遲遲拿不出實際樣品的憶阻器技術(shù)。
XPoint內(nèi)存是一項行之有效的技術(shù)方案,而且在成本/存儲密度方面擁有相當(dāng)出色的市場吸引力。總而言之,這是一項革命性的開發(fā)成果。
這份演示文稿指出,英特爾公司可能會將XPoint引入到服務(wù)器內(nèi)存DIMM當(dāng)中。其具體時間可能會與英特爾計劃于2017年年內(nèi)推出的,代號為Purley的至強服務(wù)器CPU保持一致。我們的這位專家指出,目前可以確定其將配合新型協(xié)議采用DDR4總線,而且顯然會針對Read公司目前已經(jīng)確定的50至200納秒PCM原生延遲水平作出大量調(diào)整工作。
與Eggleston發(fā)布的演示資料相比較,XPoint的實際寫入緩沖性能明顯要出色得多。
目前每DIMM超過100 GB傳輸帶寬已經(jīng)得到確認(rèn),而且12瓦的預(yù)定功率窗口設(shè)計也表示壓力不大。
有鑒于此,我們可以預(yù)計在2017年年內(nèi)迎來速度更為驚人的服務(wù)器方案——這不僅是由于標(biāo)準(zhǔn)的CPU更新?lián)Q代,同時也受到了存儲性能水平的巨大推動。通過將數(shù)據(jù)保存在以DIMM形式存在的大量3D XPoint內(nèi)存模塊當(dāng)中,我們將能夠為數(shù)量日益增長的計算核心提供充沛的數(shù)據(jù)供應(yīng)。快些到來吧,美好的新時代!
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