臺(tái)積進(jìn)擊7納米 力壓英特爾

　　臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音昨(3)日首次揭露，臺(tái)積電7奈米將于2017年第2季試產(chǎn)，并向供應(yīng)鏈喊話共同合作，全力投入5奈米研發(fā)，向挑戰(zhàn)全球半導(dǎo)體霸主地位邁進(jìn)。

　　劉德音昨天是在主持臺(tái)積電供應(yīng)鏈管理論壇時(shí)，向到場(chǎng)的逾600名來(lái)自全球的設(shè)備及材料供應(yīng)商揭露臺(tái)積電先進(jìn)制程最新藍(lán)圖。法人認(rèn)為，臺(tái)積電先進(jìn)制程演進(jìn)速度快，漢微科等高階設(shè)備廠，將扮演重要的助攻角色。

　　臺(tái)積電截至目前已量產(chǎn)的16奈米，進(jìn)度都落后英特爾，在下一世代的10奈米，臺(tái)積電首度超車，將在明年初開(kāi)始試產(chǎn)，明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，比英特爾2017年量產(chǎn)的時(shí)間快至少六個(gè)月。

　　在昨天之前，臺(tái)積電均未透露7奈米確切的試產(chǎn)時(shí)間，更從未提及5奈米。劉德音昨天首度披露臺(tái)積電7奈米將于2017年第2季試產(chǎn)，并已投入5奈米研發(fā)。

　　業(yè)界認(rèn)為，此舉象征臺(tái)積電“就是要比對(duì)手快”，未來(lái)蘋(píng)果、輝達(dá)等大客戶要在最快的時(shí)間內(nèi)使用最新的制程，“一定要找臺(tái)積電”。臺(tái)積電藉此可持續(xù)拓展高階制程市占，提升獲利能力。

　　劉德音說(shuō)，臺(tái)積電已成功以7奈米制程產(chǎn)出靜態(tài)存取記憶體(SRAM)，打臉先前自稱以10奈米產(chǎn)出SRAM的三星。他強(qiáng)調(diào)，7奈米預(yù)定2017年第2季完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape out)，和10奈米制程只差五季。

　　依此時(shí)程推算，臺(tái)積電明年初就會(huì)啟動(dòng)10奈米試產(chǎn)，因此從今年第4季起密集采購(gòu)10奈米生產(chǎn)線相關(guān)設(shè)備，以利明年第1季啟動(dòng)10奈米試產(chǎn)。

　　至于明年挹注營(yíng)收的主力制程16奈米，劉德音強(qiáng)調(diào)，到今年底共有27個(gè)產(chǎn)品完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案，預(yù)估到明年底將達(dá)到100個(gè)，有助臺(tái)積電提升市占率;臺(tái)積電今年在全球晶圓代工市占率將達(dá)到54%，持續(xù)獨(dú)霸全球。

　　臺(tái) 積電先前下修今年資本支出到80億美元，稍早劉德音接受外電專訪時(shí)透露，明年資本支出將超過(guò)今年，設(shè)備商推估將逾百億美元，甚至達(dá)120億美元，創(chuàng)歷史新 高，凸顯臺(tái)積電投入7奈米先進(jìn)制程研發(fā)、增加16奈米產(chǎn)能、布建10奈米試產(chǎn)線，明年幾乎三路并進(jìn)，卯足全勁，要超越英特爾。