臺積電7納米SRAM打贏三星 要準(zhǔn)備5nm制程

　　臺積電與英特爾、三星的先進(jìn)制程競賽依舊打得火熱，10納米以下制程成為半導(dǎo)體三雄間的競逐場，三星雖于11月中搶先發(fā)表10納米FinFET制程生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)，看似搶先臺積電與三星，不過，臺積電3日透露，早已成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM，而且預(yù)告5納米也要來了!

　　臺積電于3日舉辦第十五屆供應(yīng)鏈管理論壇，臺積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音表示，庫存調(diào)整已近尾聲，2016有望恢復(fù)成長，臺積明年將比今年更好，與先前自家董事長張忠謀的說法一致，劉德音對臺積電先進(jìn)制程進(jìn)度也透露更多的訊息。

　　在16納米制程，臺積電先前推出比FinFETPlus更低功耗的FFC制程，主打低階智慧手機與物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，劉德音昨3日指出，目前已設(shè)計定案(tape-out)的有27個，估計2016年達(dá)到100個，16納米從原本高階市場主力，進(jìn)一步拓展到中低階市場，劉德音預(yù)估16納米市佔的擴展，將成為明年營收優(yōu)于去年的重要動能。

　　對于三星于11月中宣布已運用10納米FinFET生產(chǎn)出SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)，劉德音透露，臺積電已經(jīng)成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM，10納米將在2016年初試產(chǎn)、7納米則有望于2017年第一季試產(chǎn)，與今年9月臺積電技術(shù)長孫元成，參與美國圣塔克拉拉舉行的創(chuàng)新平臺論壇所言進(jìn)度相同。

　　據(jù)孫元成當(dāng)時說法，10納米在2016年底或2017年初將進(jìn)入量產(chǎn)階段，若依此轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度，10納米階段臺積將有望超車英特爾，英特爾執(zhí)行長BrianKrzanich在今年第二季法說會上坦承，下世代(10納米)制程，大約到2017年下半才會推出。三星則在今年6月正式將10納米FinFET制程納入開發(fā)路圖(Roadmap)，估計10納米在2016年底、2017年初全面投產(chǎn)，與臺積電時間差不多。

　　值得關(guān)注的是，劉德音在昨3日的論壇向供應(yīng)鏈伙伴預(yù)告，該開始準(zhǔn)備5納米了!雖未對相關(guān)時程多做說明，但也令外界相當(dāng)期待，然而在10納米以下制程微縮已經(jīng)來到光學(xué)微影解析的極限，臺積電年初透露在10納米制程有部分光罩將採用極紫外光(ExtremeUltraviolet，EUV)微影技術(shù)進(jìn)行曝光，大摩3月份發(fā)表的報告也指出，EUV將是臺積電能否在10納米以下制程超車的關(guān)鍵。