英飛凌拓展功率MOSFET和智能功率開關(guān)等汽車電子產(chǎn)品

　　在日前舉行的2004年國際汽車電子展（Convergence 2004）上，英飛凌科技公司推出了兩個(gè)全新產(chǎn)品家族：一個(gè)是功率MOSFET系列，另一個(gè)是基于新一代溝槽技術(shù)的智能高端開關(guān)IC系列。這兩個(gè)全新的產(chǎn)品系列進(jìn)一步拓展了英飛凌專為滿足汽車電子元件苛刻的環(huán)境和運(yùn)行要求而設(shè)計(jì)的功率IC產(chǎn)品的范圍。在汽車電子領(lǐng)域，英飛凌是公認(rèn)的全球領(lǐng)導(dǎo)者。

　　此外，英飛凌還為通用汽車電子系統(tǒng)推出了功率MOSFET的OptiMOS-T產(chǎn)品系列，將溝槽技術(shù)與全綠色封裝工藝完美集于一身。與英飛凌OptiMOS平面工藝相比，這種全新的溝槽技術(shù)不僅提供同樣的堅(jiān)實(shí)耐用性，同時(shí)還可實(shí)現(xiàn)10倍以上芯片密度的片上集成。英飛凌利用這種更高的邏輯能力設(shè)計(jì)了PROFET™智能高邊開關(guān)IC系列，這是世界首例采用溝槽技術(shù)的集成式智能開關(guān)系列。

英飛凌OptiMOS-T

　　為了給那些致力于以電子系統(tǒng)替代機(jī)械和液壓系統(tǒng)的汽車系統(tǒng)工程師提供一個(gè)新的設(shè)計(jì)選擇，英飛凌在其MOSFET家族中又推出了一種名為OptiMOS-T的55V溝槽式功率技術(shù)。這種OptiMOS-T技術(shù)用于在汽車應(yīng)用中最大限度地減小導(dǎo)通電阻（Rdson）和傳導(dǎo)損耗。根據(jù)具體設(shè)計(jì)的不同，傳導(dǎo)損耗的降低將提高冷卻風(fēng)扇等應(yīng)用的工作效率，從而實(shí)現(xiàn)排放量和能耗的降低。例如，如果一輛汽車的能耗減少100瓦，它每100公里就可以節(jié)省0.15升燃料，同時(shí)，排放量也會(huì)相應(yīng)減少。

　　OptiMOS-T家族的首款產(chǎn)品IPB100N06S3L-03是一種采用D2PAK封裝的2.7 mohm、55V N溝道MOSFET。在今后幾個(gè)月，英飛凌將推出一個(gè)導(dǎo)通電阻在2.7～25 mohm之間的完整產(chǎn)品系列。

　　“OptiMOS-T系列所采用的堅(jiān)固和綠色環(huán)保的封裝工藝再次證明了英飛凌在汽車功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。這些產(chǎn)品在質(zhì)量和可靠性方面都超出了客戶的期望，同時(shí)也更加堅(jiān)定了英飛凌要將綠色環(huán)保技術(shù)帶入其所有產(chǎn)品的決心，”英飛凌（北美）公司汽車與工業(yè)部副總裁Christopher Cook說。

　　OptiMOS-T家族的所有產(chǎn)品均為無鉛型（無鉛電鍍、綠色環(huán)保鑄模材料），這就使汽車電子系統(tǒng)供應(yīng)商們可以根據(jù)現(xiàn)行規(guī)定選用無鉛產(chǎn)品。OptiMOS-T產(chǎn)品均符合RoHS（有害物質(zhì)限制使用）和WEEE（報(bào)廢電子電氣設(shè)備）規(guī)范的要求，且均能保持高達(dá)260