英特爾宣布邁向無鉛處理器新時代

　　英特爾公司今天宣布，從其45納米高-k金屬柵極處理器全部產(chǎn)品系列開始，英特爾下一代的處理器將實現(xiàn)百分之百的無鉛化。英特爾45納米高-k產(chǎn)品系列包括下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強®處理器。采用最新45納米高-k技術(shù)的處理器將于2007年下半年開始投產(chǎn)。

　　英特爾公司技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁兼封裝測試技術(shù)發(fā)展總監(jiān)Nasser Grayeli指出：“從淘汰鉛的使用、致力于提高我們產(chǎn)品的能效，到降低空氣排放和提高水及其他材料的循環(huán)利用，英特爾正積極地朝著環(huán)境可持續(xù)發(fā)展的目標邁進?！?

    鉛被廣泛的使用在多種微電子產(chǎn)品的封裝（package）中，包括象連接英特爾芯片到封裝的凸焊點（bump）中都在使用鉛。封裝的作用是將硅芯片包裝起來，使封裝好的硅芯片可以最終連接到主板上。面向移動計算、臺式機和服務器等特定細分市場的處理器會采用不同類型的封裝。封裝設計類型包括針腳矩陣（pin grid array）、球狀矩陣（ball grid array）和板狀矩陣（land grid array）等，而在英特爾下一代45納米高-k技術(shù)中，這些封裝都會實現(xiàn)百分之百無鉛化。2008年，英特爾還將實現(xiàn)65納米芯片組產(chǎn)品的百分之百無鉛化。

　　英特爾的45納米處理器不僅無鉛，而且還會利用英特爾的高-k硅技術(shù)降低晶體管的漏電，使處理器的能效和性能都得到極大提升。英特爾公司的45納米高-k硅技術(shù)還包括了第三代應變硅技術(shù)以改進驅(qū)動電流，同時利用低-k電介質(zhì)降低互連電容，從而在提高性能的同時降低功率。最終，英特爾45納米高-k處理器系列將能使臺式機、筆記本電腦、移動互聯(lián)網(wǎng)設備以及服務器設計變得更輕巧時尚，體積更小，能效更高。