CL 2.5水平低延遲DDR-2內(nèi)存芯片即將量產(chǎn)
不過(guò)值得高興的是據(jù)Cool Tech Zone日前的報(bào)道,某大型內(nèi)存芯片廠商(三星?)目前正計(jì)劃推出低延遲的DDR-2內(nèi)存芯片,雖然目前據(jù)廠商方面的消息表示現(xiàn)在這些芯片最高還只能做到CL 2.5的水平(具體工作頻率未明),但對(duì)比起Corsair目前CL 3的DDR-2 533和OCZ CL 4的DDR-2 800來(lái)說(shuō)還是有一定突破的(多數(shù)廠商的超頻DDR533內(nèi)存也只能運(yùn)行在CL 2.5下,DDR500或以下產(chǎn)品則可做到CL 2)。
略為遺憾的是CL 2.5的DDR-2內(nèi)存芯片目前未知可于何時(shí)投入量產(chǎn),也未知采用這些內(nèi)存芯片的DDR-2內(nèi)存何時(shí)能夠投入市場(chǎng),不過(guò)我們還是可以預(yù)期這會(huì)在一段不長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)發(fā)生。。當(dāng)然類似的產(chǎn)品售價(jià)應(yīng)該也不會(huì)太低,但作為DDR-2過(guò)渡到DDR-3前的“性能”型產(chǎn)品,新芯片應(yīng)可為標(biāo)準(zhǔn)的DDR-2內(nèi)存帶來(lái)更高的性能,而更高頻率的超頻DDR-2內(nèi)存產(chǎn)品(DDR-2 1066/1333?)應(yīng)也可借此達(dá)成。
評(píng)論