Freescale擴展MRAM的產(chǎn)品系列

　　嵌入式半導體設計和制造領域的Freescale半導體成功推出3伏4Mbit擴展溫度范圍（-40至+105C）非易失性RAM （nvRAM） 產(chǎn)品，從而擴展了公司獲獎的磁電阻式隨機存儲器 （MRAM）系列產(chǎn)品。該設備可用于惡劣的應用環(huán)境，如工業(yè)、軍事、航空和汽車設計等。

　　Freescale還通過推出一種1Mbit器件擴展了它的商用MRAM 產(chǎn)品系列。該器件可為系統(tǒng)設計師提供一種密度選擇，并專注于主流嵌入式產(chǎn)品市場上的“sweet spot”。此外，F(xiàn)reescale還計劃進一步擴展其MRAM產(chǎn)品系列，在2007年第三季度增加總共九種商用和工業(yè)用擴展溫度產(chǎn)品。

　　MRAM采用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路來在單個壽命幾乎沒有限制的器件中提供SRAM的高速度和閃存的非易失性 。MRAM設備可以用于高速緩存緩沖器、配置存儲內(nèi)存和其他要求高速度、耐用性和非易失性的商業(yè)應用。飛思卡爾的最新擴展溫度范圍選項使MRAM可用于工業(yè)和汽車應用。在這類應用中，半導體產(chǎn)品必須能夠忍受惡劣的工作環(huán)境和極端溫度范圍。

　　MRAM在高密度 nvRAM市場上提供業(yè)界領先的高性價比產(chǎn)品。飛

　　2006年宣布推出的飛思卡爾MR2A16A 4Mbit 產(chǎn)品是全球第一款商用MRAM設備，曾獲得Electronic Products雜志頒發(fā)的2006年度最佳產(chǎn)品獎、電子工程專輯的2007年度最佳存儲產(chǎn)品獎、LSI of the Year的年度杰出產(chǎn)品獎和In-Stat/Microprocessor Report 的2007年度創(chuàng)新產(chǎn)品獎。此外，飛思卡爾的MRAM設備還入圍EDN的“2006年度創(chuàng)新獎”和EE Times的“2006年度ACE獎”決賽。

　　關于1Mb MR0A16A

　　MR0A16A是一種1Mbit的商用溫度范圍（0 – 70oC）3.3伏異步存儲器，可存儲64K個單詞（16位），讀寫周期為35 納秒。該設備的行業(yè)標準SRAM針腳允許在相同的空間內(nèi)將內(nèi)存從1Mb擴展到4Mb。該設備采用符合RoHS 要求的400-mil TSOP II型封裝，適合各種商業(yè)應用，如聯(lián)網(wǎng)、安全、數(shù)據(jù)存儲、游戲和打印機。

　　關于4Mb MR2A16AV

　　MR2A16AV是一種4Mbit擴展溫度范圍（-40 – 105oC）3.3伏異步存儲器，可存儲256K個單詞（16位），讀寫周期為35 納秒。它的行業(yè)標準SRAM針腳使它可以兼容SRAM 和其他 nvRAM產(chǎn)品。該設備采用符合RoHS要求的400-mil TSOP II型封裝中，為工業(yè)自動化、運輸、軍事和航空應用中的嚴苛環(huán)境提供了一種強大的NVM解決方案。

　　若欲了解有關飛思卡爾MRAM產(chǎn)品和技術的更多信息，請訪問：twww.freescale.com/files/pr/mram.html。