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三星走出DRAM市場低谷下半年需求有望增長

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作者: 時間:2005-06-14 來源: 收藏
    全球最大記憶體晶片供應(yīng)商南韓電子(Samsung Electronics)副總裁Woosik Chu表示,已走出DRAM事業(yè)谷底,在目前DRAM均價穩(wěn)定、下半年需求揚升之際,經(jīng)過第二季(Q2)DRAM毛利率落底之后,預(yù)期2005年下半DRAM毛利率不會再向下跌。

  財報資料顯示,三星Q1半導(dǎo)體事業(yè)群營運毛利率31%,分析師普遍預(yù)期Q2毛利率將受到進一步侵蝕,預(yù)期Q3毛利率會有所改善。

  盡管三星對于下半年DRAM市場樂觀以待,但Chu表示,三星下半年NAND型快閃記憶體(Flash)事業(yè),則將面臨毛利受到壓縮的影響。不過,Chu明確指出,三星為了刺激市場需求所采行的降價行動,本質(zhì)上其實是擴充高容量NAND型Flash市場策略之一,盡管三星在毛利率上有所妥協(xié),但整體而言,三星仍將受惠于全球NAND型Flash市場高成長態(tài)勢。

  三星對于下半年NAND型Flash市場需求充滿信心,Chu認為,事實上,目前業(yè)者開出的產(chǎn)能僅能滿足全球NAND型 Flash市場7成的需求,三星尋求以年度均價降幅40%的水準,擴充高容量2Gb與4Gb產(chǎn)品市場。

  市調(diào)機構(gòu)iSuppli分析師Nam Hyung Kim指出,三星占有全球NAND型 Flash市場近6成比重,一定范圍內(nèi)具有支配均價的優(yōu)勢,積極的價格戰(zhàn)更是三星對后進業(yè)者立下的進入障礙。

  不過,美林證券(Merrill Lynch)甫于日前公布的最新報告則認為,NAND型 Flash均價下滑的速度,遠較業(yè)者降低成本的速度來得快,原先不尋常的高毛利時代已然告終,在產(chǎn)能過剩之下,NAND 型Flash的獲利已彌補不了DRAM的缺口。

  然而,JP Morgan分析師J.J. Park則認為NAND型 Flash市場需求被低估,Park認為,在所有半導(dǎo)體產(chǎn)品中,NAND型Flash具有最高的價格彈性,產(chǎn)品均價的下跌均能完全轉(zhuǎn)化為更多的百萬位元(megabyte)消耗量,達到刺激市場需求目標。  

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