RAMTRON推出2KB鐵電微控制器 VRS51L3072

非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎(chǔ)的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron將F-RAM添加到其快速靈活的Versa 8501產(chǎn)品中，以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理系統(tǒng)，而這是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性變量的理想選擇，包括從傳感器與計(jì)量儀表到工業(yè)控制、儀表與醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用。

Ramtron戰(zhàn)略市場拓展經(jīng)理David Lee稱：“我們針對需要較低密度F-RAM進(jìn)行實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集和存儲的客戶，擴(kuò)展了Versa 8051產(chǎn)品系列即推出帶2KB  F-RAM的MCU。VRS51L3072的高性能內(nèi)核可控制外設(shè)及采集數(shù)據(jù)，而其板載數(shù)字信號處理 (DSP) 功能則會處理數(shù)據(jù)，然后存儲在F-RAM內(nèi)。這款產(chǎn)品與我們的8KB F-RAM MCU引腳兼容，對于那些需要少于8KB F-RAM的應(yīng)用來說，是一種別具成本效益的替代方案?！?

F-RAM替代Flash/EEPROM存儲非易性數(shù)據(jù)存儲

F-RAM能夠消除Flash數(shù)據(jù)存儲器相關(guān)的先頭編碼、有限的耐用性及Flash/EEPROM延長的寫入周期，從而簡化設(shè)計(jì)流程。與Flash不同，F(xiàn)-RAM字節(jié)無需首次擦除整個(gè)扇區(qū)即可進(jìn)行改動，使用更為便捷。而且與Flash/EEPROM不同的是F-RAM能夠無限次的讀/寫和快速寫入數(shù)據(jù)。

VRS51L3072將2KB F-RAM與完全集成的高性能系統(tǒng)級芯片 (System-on-chip)相結(jié)合，其特性包括40 MIPS單周期8051內(nèi)核、同時(shí)具有ISP和IAP編程功能的64KB Flash、4KB SRAM、數(shù)字信號處理 (DSP) 擴(kuò)展功能及穩(wěn)健的數(shù)字外圍設(shè)備。VRS51L3072在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi)以3.3V電壓工作，是多種先進(jìn)應(yīng)用的理想嵌入式數(shù)據(jù)采集解決方案。