22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場看法存分歧

浸潤式微顯影雙重曝光能進一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術得以出頭，爭議不斷。據了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。 

    ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達13.5納米，約是248波長的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯影采用雙重曝光技術可讓摩爾定律延伸至32納米，但仍是過度性產品，EUV才能最終克服22~15納米，目前市場已有數家客戶下單最快2009年出貨供客戶試產。目前ASML的EUV機種全球僅IBM的Albany實驗室及歐洲微電子技術中心(IMEC)各擁1臺，而英特爾(Intel)也是曾公開挺EUV的半導體業(yè)者。 

    ASML表示，浸潤式顯影已經遇到技術瓶頸，EUV則是最具潛力的接棒者。浸潤式顯影若尋求進一步技術突破，必須尋找其它的液體取代純水，而聚焦鏡頭材料也要重新研發(fā)，這2種途徑都已經出現瓶頸。半導體業(yè)者指出，目前取代純水的液體包括有機、無機液體，不過，有機液體遇到193波長光源將出現質變等多重挑戰(zhàn)。 

    臺積電早期與ASML攜手研發(fā)浸潤式顯影目前已進入第5代機種，不過，臺積電目前對于進入22納米以下，究竟采用EUV或直寫式多重電子束，臺積電的正式說法是未定論。目前全球研發(fā)電子束直寫式的設備業(yè)者屈指可數，包括Mapper、科磊(KLA-Tencor)及日系業(yè)者JOEL，臺積電內部與Mapper則緊密合作。臺積電認為，若是EUV的光源能量不能有效提高，那么多重電子束則相對具成本競爭力，不過多重電子束本身的生產力也須再進一步提升。