新聞中心

EEPW首頁 > 消費電子 > 業(yè)界動態(tài) > RAMTRON的F-RAM存儲器榮獲《電子設計技術》EDN CHINA創(chuàng)新獎

RAMTRON的F-RAM存儲器榮獲《電子設計技術》EDN CHINA創(chuàng)新獎

——
作者: 時間:2007-11-28 來源:電子產品世界 收藏

  非易失性鐵電隨機存取 (F-RAM) 和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布榮獲業(yè)界知名的《》雜志EDN China頒發(fā)2007年度創(chuàng)新獎之優(yōu)秀產品獎。Ramtron的FM22L16產品是半導體行業(yè)首款4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM,獲評委會及數(shù)以千計《》的讀者選為數(shù)據(jù)IC與可編程邏輯類別的優(yōu)秀產品。

  Ramtron亞太區(qū)域總監(jiān)徐夢嵐稱:“我們非常高興獲得業(yè)界知名的《》雜志頒發(fā)的獎項。對于產品得到中國電子設計團體的認同,我們深感榮幸。這款4兆位F-RAM實現(xiàn)了技術的突破,將引領Ramtron與F-RAM進入新的創(chuàng)新應用中。中國設計工程師對FM22L16所作的投票,足以證明該產品的技術成果已獲得公認?!?/P>

  入圍產品由《電子設計技術》的專家評審小組選出,該小組由來自中國各大OEM廠商、學術機構、高校及《電子設計技術》編輯部的業(yè)界專家和專業(yè)人士組成。而《電子設計技術》的讀者參與投票選出得獎的產品。



評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉