半導體設計工程進入“32納米”時代
由IBM主導的半導體聯(lián)盟“通用平臺(CommonPlatform)”表示計劃集中投資32納米平臺。通用平臺由IBM、三星電子、特許半導體(新加坡)等企業(yè)組成,這些企業(yè)以共享半導體設計和制造環(huán)境為目的組成這一聯(lián)盟,并生產了90納米手機芯片,而且正在開發(fā)64納米、45納米工程。這次由9個企業(yè)組成的聯(lián)盟正式表明了集中投資32納米工程的意向,半導體平臺的時代交替顯得更加指日可待。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/78040.htmIBM雖然沒有透露詳細計劃,但表示對32納米平臺的開發(fā)投入將是目前投資規(guī)模的兩倍。IBM稱,整體的SiliconBusiness得到了全面的發(fā)展,相比之下Packaging領域稍顯落后,不過通過這次投資應該能挽回過來。未來3~4年內半導體工程中熱傳遞和輸入輸出(I/O)領域會有很大變化,為此,將需要大規(guī)模的投資。
該聯(lián)盟計劃集中開發(fā)超小型FormFactorPackage和Stacking技術。意法半導體(STMicro)副總裁稱:“2008年末將可以確保45納米工程技術,在以后32納米技術的開發(fā)中,聯(lián)盟的作用會很大。”同時他認為以聯(lián)盟形式加入共同開發(fā),可以大幅節(jié)省投資費用。
飛思卡爾半導體稱,一個新的Fab需要投資30億美元~60億美元,要從200mm轉到300mm需要巨大的經費,因此,以聯(lián)盟的形式進行共同開發(fā)會更加受到矚目。
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