英特爾：閃存替代產(chǎn)品PCM將全面量產(chǎn)

　　今年令人激動(dòng)的技術(shù)終于由intel得以宣布最新進(jìn)度，intel方面表示，用來(lái)替代當(dāng)前NAND閃存技術(shù)的全新PCM(phase change memory，相位變換存儲(chǔ))芯片即將進(jìn)入全面的量產(chǎn)化階段，并且intel公司目前已經(jīng)可以提供PCM閃存芯片的樣品。

　　Sandisk剛剛發(fā)布有別于當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)NAND flash閃存芯片存儲(chǔ)密度的新技術(shù)，不過(guò)intel方面則在接下來(lái)沒(méi)有多久的時(shí)間內(nèi)發(fā)布消息表明，PCM閃存芯片的樣品已經(jīng)開(kāi)始出貨給特定的合作客戶，首批出貨樣品采用90納米制程技術(shù)生產(chǎn)，產(chǎn)品代號(hào)Alverstone，采用2bit核心存儲(chǔ)單元的多級(jí)封裝技術(shù)制造，單體容量目前為256M bit。

　　PCM最新發(fā)布的測(cè)試樣品制作技術(shù)來(lái)自于剛剛加入intel和意法半導(dǎo)體(ST microelectronics)的NUmonyx，PCM閃存技術(shù)采用一種非常類似于CD和DVD的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)，intel早在2001年左右就已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行這項(xiàng)工作的開(kāi)發(fā)，早期代號(hào)為ovonics，intel采用具有硫?qū)倩锊Ａ匦缘牟牧贤ㄟ^(guò)加熱方式針對(duì)材料特性在晶體和無(wú)規(guī)則穿透組織間進(jìn)行切換，這種切換動(dòng)作可以產(chǎn)生特殊電阻，并激發(fā)潛在的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)，和閃存一樣，PCM技術(shù)也是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)非易失性的，這也就意味著在斷電之后數(shù)據(jù)存儲(chǔ)動(dòng)作仍然有效。

　　對(duì)于PCM技術(shù)而言，最重要的一項(xiàng)開(kāi)發(fā)特性就是材料的熱敏性，根據(jù)intel方面的測(cè)試，這種材質(zhì)變換技術(shù)可以達(dá)到10萬(wàn)次的讀寫(xiě)循環(huán)操作而不會(huì)出現(xiàn)任何問(wèn)題。

　　Nunonyx技術(shù)設(shè)計(jì)部總裁Ed Doller表示，PCM對(duì)于非易失性存儲(chǔ)技術(shù)來(lái)是，是發(fā)展經(jīng)過(guò)40年之后令人額外關(guān)注的新技術(shù)，對(duì)于今天的存儲(chǔ)技術(shù)存在重大意義，而intel和意法半導(dǎo)體則將這項(xiàng)實(shí)用性的新技術(shù)已經(jīng)帶到客戶手中。

　　Numonyx將會(huì)致力于供應(yīng)全系列針對(duì)不同客戶和工業(yè)設(shè)備的PCM完整存儲(chǔ)解決方案，包括當(dāng)前流行的移動(dòng)電話，MP3播放器，數(shù)碼相機(jī)，電腦以及其他高科技設(shè)備，同時(shí)intel表示這項(xiàng)新技術(shù)也會(huì)為該公司在盈利方面建立卓越表現(xiàn)機(jī)會(huì)。

　　intel是全球第一家制造flash閃存芯片的公司，而在1989年NOR閃存設(shè)備容量?jī)H為256KB，并在早期用來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)，其大小尺寸要和一個(gè)鞋盒子相當(dāng)，而上個(gè)月，intel公司則在切實(shí)考慮完全舍棄陳舊而無(wú)利潤(rùn)的閃存業(yè)務(wù)。