飛兆半導體推出40V P溝道PowerTrench MOSFET

　　飛兆半導體公司推出 40V P 溝道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品 FDD4141，為功率工程師提供快速開關(guān)的解決方案，可將開關(guān)損耗減少達一半。FDD4141 具有低導通阻抗 (RDS(ON))，與目前的 MOSFET 比較能降低柵極電荷(QG) 達 50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產(chǎn)品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關(guān)等應用，以更高的速度進行切換，而不會產(chǎn)生過多的熱量?？焖匍_關(guān)是步降轉(zhuǎn)換器等開關(guān)速度需要達到數(shù)百 kHz 應用的必備條件。盡管其它 MOSFET 解決方案亦可在較高頻率下進行切換，惟這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。

　　FDD4141采用飛兆半導體專有的 PowerTrench 工藝技術(shù)制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。PowerTrench 技術(shù)將 N 溝道 MOSFET 的特性運用在 P 溝道 MOSFET 中，使到 P 溝道 MOSFET 具備 N 溝道 MOSFET 的性能，并表現(xiàn)出更低的 RDS (ON) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數(shù)百 kHz 的高頻下切換，以達致步降轉(zhuǎn)換器的開關(guān)要求。

　　FDD4141 是飛兆半導體廣泛全面的 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品組合的一部分，能夠滿足當今電子產(chǎn)品的電氣和熱性能要求，有助于實現(xiàn)能效目標。飛兆半導體性能先進的 PowerTrench MOSFET 工藝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的密勒電荷 (QGD)、RDS(on) 和總體柵極電荷 (QG) 值，當用于同步降壓應用時，可提供出色的開關(guān)性能和熱效率。

　　FDD4141采用無鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產(chǎn)品均設計滿足歐盟有害物質(zhì)限用指令(RoHS) 的要求。

　　供貨： 現(xiàn)提供樣品

　　交貨期： 收到訂單后8至10周內(nèi)