功率開(kāi)關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(cè)(04-100)
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·上方的曲線代表功率MOS的柵極電流。圖中的左邊部分對(duì)應(yīng)于關(guān)斷之后出現(xiàn)的寄生振蕩。漏極上出現(xiàn)的任何dV/dt都會(huì)在周圍所有電容中產(chǎn)生相應(yīng)的電流。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/81041.htm·中間曲線表示流經(jīng)功率MOS源極的電流。
·下方曲線是功率MOS的漏極電壓。
柵極和源極電流在形狀上可以相互比擬。兩者幅度之間的關(guān)系可近似地用Crss和Coss的值來(lái)表示：
Coss/Crss = 27/6=4.5
Igate/Isource=3.4
Soxyless實(shí)現(xiàn)
已經(jīng)開(kāi)發(fā)出專用的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，可通過(guò)MOS和雙極晶體管的混合電路來(lái)測(cè)量負(fù)柵極電流，該電路不經(jīng)過(guò)底部而是經(jīng)由參考正Vcc電壓的路徑傳輸負(fù)柵極電流。因此，測(cè)量的電流從Vcc軌經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單的補(bǔ)償電路流至柵極，該電路的工作相當(dāng)于有源負(fù)電壓鉗位。結(jié)果，“負(fù)柵極電流”轉(zhuǎn)換為便于處理的正電流。因此，使用簡(jiǎn)單的比較器便可進(jìn)行柵極電流過(guò)零檢測(cè)，從而提供“谷點(diǎn)”信號(hào)。
圖7為Soxyless功能的方塊原理圖。功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器由混合的推挽輸出電路組成(上部的PMOS+下部的NMOS和PNP并聯(lián))。在閉塞窗之后禁用Q1 NMOS。在其余的關(guān)斷反激序列中只有Q2 PNP保持導(dǎo)通。這種技術(shù)無(wú)須考慮功率MOS Toff之后出現(xiàn)的振鈴。如果假設(shè)下面的FET其Rdson為10W，則10mA柵極電流就能產(chǎn)生一個(gè)100mV信號(hào)。這是任何使用CMOS結(jié)構(gòu)的典型MOSFET驅(qū)動(dòng)器的典型性能。
評(píng)論