功率開關寄生電容用于磁芯去磁檢測(04-100)
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·上方的曲線代表功率MOS的柵極電流。圖中的左邊部分對應于關斷之后出現(xiàn)的寄生振蕩。漏極上出現(xiàn)的任何dV/dt都會在周圍所有電容中產(chǎn)生相應的電流。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/81041.htm·中間曲線表示流經(jīng)功率MOS源極的電流。
·下方曲線是功率MOS的漏極電壓。
柵極和源極電流在形狀上可以相互比擬。兩者幅度之間的關系可近似地用Crss和Coss的值來表示：
Coss/Crss = 27/6=4.5
Igate/Isource=3.4
Soxyless實現(xiàn)
已經(jīng)開發(fā)出專用的功率MOSFET驅動器，可通過MOS和雙極晶體管的混合電路來測量負柵極電流，該電路不經(jīng)過底部而是經(jīng)由參考正Vcc電壓的路徑傳輸負柵極電流。因此，測量的電流從Vcc軌經(jīng)過簡單的補償電路流至柵極，該電路的工作相當于有源負電壓鉗位。結果，“負柵極電流”轉換為便于處理的正電流。因此，使用簡單的比較器便可進行柵極電流過零檢測，從而提供“谷點”信號。
圖7為Soxyless功能的方塊原理圖。功率MOSFET驅動器由混合的推挽輸出電路組成(上部的PMOS+下部的NMOS和PNP并聯(lián))。在閉塞窗之后禁用Q1 NMOS。在其余的關斷反激序列中只有Q2 PNP保持導通。這種技術無須考慮功率MOS Toff之后出現(xiàn)的振鈴。如果假設下面的FET其Rdson為10W，則10mA柵極電流就能產(chǎn)生一個100mV信號。這是任何使用CMOS結構的典型MOSFET驅動器的典型性能。
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