功率開(kāi)關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(cè)(04-100)
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作者：安森美半導(dǎo)體 Francois LHERMITE
時(shí)間：2008-04-01
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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必須看到，在禁止窗口中存在一些殘留電壓。驅(qū)動(dòng)器行為與任何典型的CMOS推挽驅(qū)動(dòng)器相似。殘留信號(hào)的閉塞在禁止窗口中進(jìn)行。選擇Rsig和鏡像的比例，以便進(jìn)行靈敏度為100mA的負(fù)電流檢測(cè)。
比較器提供用于導(dǎo)通功率MOS的Vvalley信號(hào)。
因?yàn)橐M(jìn)行高速的Soxyless檢測(cè)，所以功率MOSFET的導(dǎo)通發(fā)生在非常接近于“谷點(diǎn)”處。
“谷點(diǎn)”檢測(cè)靈敏度的范圍是100mA。
注：有源電壓鉗位和負(fù)電流測(cè)量都在申請(qǐng)專利待審批中。
結(jié)語(yǔ)
Soxyless技術(shù)在硅集成上進(jìn)行了驗(yàn)證。其表明仿真結(jié)果與試驗(yàn)分析相一致。這種創(chuàng)新的技術(shù)可以無(wú)需特定的輔助繞組與反激變壓器耦合就能檢測(cè)“谷點(diǎn)”。目前無(wú)需使用任何RC定時(shí)技術(shù)便可在過(guò)零檢測(cè)和重啟點(diǎn)之間建立一致的關(guān)系?！?/p>
評(píng)論