閃存新公司恒億負重前行?前景尚不…

 　　如果憑老東家的實力，新公司應(yīng)該讓人感覺很有希望。但是現(xiàn)實面臨兩個大的問題，其一是在專注的存儲器領(lǐng)域強手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。

    全球頭號芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲器廠Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲器類型)及內(nèi)置RAM（內(nèi)存）的存儲器，并利用新型相變移位存儲器(PCM)技術(shù)，為存儲器市場開發(fā)提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。公司主要為手機、MP3播放器、數(shù)碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。

    如果憑老東家的實力，新公司應(yīng)該讓人感覺很有希望。但是現(xiàn)實面臨兩個大的問題，其一是在專注的存儲器領(lǐng)域強手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。所以新公司的前景讓人打上問號。

Numonyx先天不足

    對于兩家巨頭公司而言，NOR閃存業(yè)務(wù)已成燙手山芋。翻閱2006年它們的成績單：2006財年ST的NAND和NOR閃存業(yè)務(wù)總營收為15.7億美元，虧損達5300萬美元；英特爾閃存業(yè)務(wù)在2006年總營收雖為21億美元，但虧損達到了6.38億美元。

    而在2007年第一季度，依然虧損態(tài)勢不減。在2007年一季度兩家公司的閃存業(yè)務(wù)繼續(xù)虧損嚴重，ST閃存業(yè)務(wù)營收僅為3.23億美元，更是虧損了1700萬美元，創(chuàng)出歷史之最。英特爾閃存業(yè)務(wù)營收為4.69億美元，總虧損已達2.83億美元。iSuppli在2006年估計全球NOR閃存時表示，ST和英特爾合計占有NOR閃存的40%，Spansion占31%，Samsung占9%。而到2007年第一季度，他們的市場份額已下滑至36%，而Spansion增長至32%，Samsung上升到將近占13%。

    閃存業(yè)務(wù)2006年只占英特爾總營收的6%多一點，已是英特爾的雞肋業(yè)務(wù)，將之剝離主體業(yè)務(wù)成為不二選擇。而ST于2006年的營收為98.5億美元，在全球半導(dǎo)體業(yè)中排名位居前三強，它在高能效器件、汽車等諸多領(lǐng)域成績斐然，顯然也希望將閃存業(yè)務(wù)剝離，亦有利于輕裝上陣。所以雙方成立合資公司，可能有兩層目的，一方面有助于英特爾與意法半導(dǎo)體能擺脫虧損的NOR閃存芯片制造業(yè)務(wù)對公司業(yè)績的影響。另一方面當然也設(shè)想依靠兩者市場份額相加之后超過40%的實力，有望打造一個全新的閃存王國。

    意法半導(dǎo)體公司副總裁兼大中國區(qū)總經(jīng)理BobKrysiak表示兩家早有合并之意。而且閃存市場的特點，取得成功需要大規(guī)模的制造和量產(chǎn)能力，即建造超級Fab（晶圓廠）。

    但是實際上兩家都有難處及自己的計劃。在全球NOR閃存領(lǐng)域，Spansion目前坐頭把交椅。Spansion對于此次英特爾與意法半導(dǎo)體在閃存業(yè)務(wù)上的合并反應(yīng)并不如想象中那么強烈。

    Spansion表示，這將使客戶對供應(yīng)商的選擇多樣化，市場價格也更趨于穩(wěn)定和理性，從而為Spansion提供了良好的機遇以獲取更多的市場份額。Spansion強調(diào)其競爭優(yōu)勢在于：仍然是唯一一家投資300mm晶圓制造能力的NOR閃存供應(yīng)商，并且正在逐步實施具有突破性的計劃——— 在2007年實現(xiàn)65nmMirrorBit技術(shù)在300mm晶圓上的量產(chǎn)，以及在2008年推出45nmMirrorBit技術(shù)。堅信通過這些計劃的實施，Spansion將擁有NOR閃存行業(yè)最低的成本結(jié)構(gòu)，并有能力創(chuàng)造差異化的增值解決方案。

    而業(yè)界之所以對于合資公司存有疑問，表現(xiàn)在兩家巨頭公司對于未來的進一步投資都沒有絲毫承諾。存儲器業(yè)拼的是資金，需要采用最先進的制程及12英寸硅片的高產(chǎn)能。據(jù)說合資企業(yè)將承擔13億美元定期貸款和2.5億美元的循環(huán)信貸，更重要的事實是這些債務(wù)將都要由合資公司承擔。這意味著英特爾和意法將不會再對其合資企業(yè)的約8000名員工及36億美元的年營收負責。英特爾和意法都沒打算向合資企業(yè)提供任何幫助，僅希望其自主奮斗。“負重前行”的新合資公司要逾越這多重難關(guān)殊為不易。

相變存儲器是否能重塑新格局

    讓業(yè)界關(guān)注的是近年來正在實現(xiàn)商用的相變存儲器。在2006年6月時，英特爾與ST就曾合作開發(fā)一種結(jié)合了NOR閃存與NAND閃存特點的新技術(shù)PCM(相變存儲器)。據(jù)英特爾Roadmap顯示，相變存儲器的優(yōu)勢在于大于100萬個寫入周期，及大于10年的保存期，且無須刪除，直接就可改寫數(shù)據(jù)，因此性能要比DRAM（動態(tài)存儲器）強多倍，將來是要替代DRAM市場，它在初期目標市場將是手機和其他便攜式產(chǎn)品。

    ST公司曾稱，容量達數(shù)GB的PCM將采用45nm或32nm工藝，將在2007年后生產(chǎn)樣品，2008年后進行大量生產(chǎn)。英特爾曾表示，PCM產(chǎn)品可能會采用22nm工藝，這將意味著它的大量生產(chǎn)將在2010年之后。但PCM亦不是英特爾和ST獨步天下的“獨門利器”。目前包括IBM公司、Spansion、三星和NEC公司等廠商在內(nèi)的其他許多公司也在努力開發(fā) PCM 產(chǎn)品。Spansion開始研制結(jié)合了NOR與NAND閃存特點的芯片，三星推出了OneNAND和MSystems的mDOC等產(chǎn)品，這表明圍繞閃存新技術(shù)PCM的競爭已然拉開序幕，一輪新的較量就此展開。作為相變存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，英特爾與ST的合資公司能否借由PCM產(chǎn)品實現(xiàn)自我救贖，還要待市場作分曉。

    近日報道，Numonyx公司計劃用以色列的一條8英寸生產(chǎn)線，于2008年第四季度開始生產(chǎn)NOR閃存，2009年時達到每周8000片。這是全球第一個用 45納米制程生產(chǎn)NOR芯片的生產(chǎn)線。

    位于以色列南部的KiryatGat芯片廠，重新取名叫Fab1，目前采用65納米制程，公司生產(chǎn)NOR閃存的規(guī)格從32Mb到1Gb，每單元只能存儲一個數(shù)據(jù)位的單層單元到多層單元技術(shù)(MLC)的發(fā)展，不僅大幅度提高了存儲密度，還降低了每個字節(jié)的存儲成本，因此，采用多層單元和相變存儲兩大技術(shù)的存儲器是存儲器技術(shù)發(fā)展的一次重大進步。

    該工廠之前為英特爾的Fab18，從1999年開始釆用180納米生產(chǎn)微處理器。因此工廠累積總投資已達22億美元。2008年估計再投資5000萬至1億美元。目前Numonyx掌握全球NOR閃存的 35%市場份額，在Spansion和三星之后。

Numonyx前景需拭目以待

    英特爾與意法合資新建的Numonyx新廠，剛于4月1日正式亮相，在存儲器的下降周期時誕生可能并不是好兆頭。盡管它們的老東家的實力強大，但是從開始起它們對于成立新公司的目的就有甩包袱的嫌疑。

    雖然全球閃存市場的前景仍然看好，但只有那些舍得繼續(xù)投入，采用最先進制程興建超級芯片廠的制造商才能夠獲得成功，所以新公司將面臨更大的競爭。

    開發(fā)新的存儲器技術(shù)是能跳出目前拚投資怪圈的有效方法。雖然相變存儲器PCM有許多優(yōu)點，但必須要面臨產(chǎn)業(yè)化的最大考驗。因此預(yù)計下一步全球閃存制造商間的兼并重組不可避免。

    至于Numonyx的前景究竟如何？需拭目以待。

相關(guān)鏈接 存儲器市場現(xiàn)狀

    全球存儲器市場已經(jīng)經(jīng)歷過多次震蕩，如1995年時，全球DRAM產(chǎn)值增長達40%，達到400多億美元的高峰，1996年時卻出現(xiàn)40%的負增長。到了1998年，同樣的歷程反過來又重演一次，當年的產(chǎn)值負增長達30%，而至1999年時卻又大幅增長達60%。

    全球DRAM產(chǎn)業(yè)通過1995～2005年期間的篩選，已從20多個廠家，減至今天的5家主要大廠。他們分別為韓國的三星及海力士，日本的Elpida，美國的Micron及歐洲的奇夢達。我國臺灣地區(qū)雖也有4大存儲器制造或代工廠，分別為力晶，茂德，南亞及威邦，但由于缺乏自有的技術(shù)，只能作代工，還沒有自有的品牌。如果計入代工能力之后，市場占有率三星仍占首位，達27%，海力士加茂德為26.6%，奇夢達加南科為16.9%，爾必達加力晶為15.8%，美光為11.2%。

    近期又報道美光與南亞合資要在美國Idaho再建12英寸廠，表明美國國家的意志在起作用，美國除了微處理器在全球稱霸之外，在存儲器中也不甘心落后。業(yè)界預(yù)計目前的存儲器5大家即將發(fā)生變化，不知有誰將忍不住虧損而退出。

    實際上,2007年DRAM單元出貨量增長81%，但是平均銷價ASP下降達39%，超出業(yè)界的預(yù)期。據(jù)Gartner報道，2007年全球存儲器銷售額下降8.4%，NAND閃存銷售額原先預(yù)期增長26%，實際僅增長2.3%，為133億美元。而NOR型閃存從2006年的85億美元，增加至2007年的98億美元，增幅達15%。

    由此，或許可能產(chǎn)生另外一種觀點，全球半導(dǎo)體業(yè)的周期性起伏越來越弱，而存儲器的周期性卻越來越明顯，成為主導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)沉浮的主要推力。

閃存前景優(yōu)于DRAM

    從SIA對各類器件在2007年至2010年期間的預(yù)測，如圖所示，閃存的年均復(fù)合增長率達20%，而存儲器僅為1.5%，表明閃存的前景看好。

    而在閃存中無論是NAND還是NOR型的表現(xiàn)均不差。僅從2008年來看，手機出貨量將成長10%，達到12.33億部，其中插記憶卡的比重占50%；數(shù)碼相機出貨量年增長率達14%，為1.3億臺；隨身碟出貨量年增長率達25%，為1.7億部；MP3/PMP播放機的出貨量年增率達20%，其中采用NAND閃存比重達85%。以下為2007年全球NAND閃存排名及市場份額表。

工藝技術(shù)跨入5x納米12英寸占主流

    在摩爾定律指引下，全球半導(dǎo)體工藝制程幾乎每兩年跨入一個新的臺階。在采用最先進工藝制程中，存儲器領(lǐng)先于邏輯電路，而存儲器中尤以NAND閃存走在最前面，如圖所示。

    全球存儲器的主流工藝制程技術(shù)，在2005年時為90納米，2007年時已進入70納米制程，估計自2008年開始，全球幾家頂級存儲器廠都會向5x納米過渡。全球DRAM廠花大錢投資70納米制程，卻因為DRAM價格下跌遠快于DRAM制程技術(shù)所產(chǎn)生的成本下跌速度，使70納米制程成為DRAM產(chǎn)業(yè)有史以來最短命的技術(shù)。通常一個世代制程技術(shù)大多可使用2年，有的3年，此次70納米制程技術(shù)僅使用1年，恐是DRAM產(chǎn)業(yè)有史以來最不劃算的投資。

    我國臺灣地區(qū)的力晶于2007年第二季開始導(dǎo)入70納米制程，會在2008年第二季時投入下世代65納米制程技術(shù)。三星于2007年第二季度導(dǎo)入68納米，2008年轉(zhuǎn)入58納米制程；海力士目前采用66納米制程，2008年第二季度時將導(dǎo)入54納米制程。至于溝槽式技術(shù)方面稍落后，現(xiàn)在導(dǎo)入70納米，1年后導(dǎo)入58納米制程。估計2008年全球NAND閃存廠將有可能進入40納米制程競爭。

    隨著先進制程在存儲器業(yè)中的競逐，12英寸硅片的性價比開始超出8英寸，導(dǎo)致全球存儲器業(yè)開始淘汰8英寸而全面轉(zhuǎn)向12英寸。在存儲器業(yè)中全球有43條8英寸生產(chǎn)線，估計每年以25%左右的比例升級至12英寸或者售出。