閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…

 　　如果憑老東家的實(shí)力，新公司應(yīng)該讓人感覺(jué)很有希望。但是現(xiàn)實(shí)面臨兩個(gè)大的問(wèn)題，其一是在專(zhuān)注的存儲(chǔ)器領(lǐng)域強(qiáng)手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。

    全球頭號(hào)芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲(chǔ)器廠Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲(chǔ)器類(lèi)型)及內(nèi)置RAM（內(nèi)存）的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)，為存儲(chǔ)器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)提供創(chuàng)新的存儲(chǔ)器解決方案。公司主要為手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。

    如果憑老東家的實(shí)力，新公司應(yīng)該讓人感覺(jué)很有希望。但是現(xiàn)實(shí)面臨兩個(gè)大的問(wèn)題，其一是在專(zhuān)注的存儲(chǔ)器領(lǐng)域強(qiáng)手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。所以新公司的前景讓人打上問(wèn)號(hào)。

Numonyx先天不足

    對(duì)于兩家巨頭公司而言，NOR閃存業(yè)務(wù)已成燙手山芋。翻閱2006年它們的成績(jī)單：2006財(cái)年ST的NAND和NOR閃存業(yè)務(wù)總營(yíng)收為15.7億美元，虧損達(dá)5300萬(wàn)美元；英特爾閃存業(yè)務(wù)在2006年總營(yíng)收雖為21億美元，但虧損達(dá)到了6.38億美元。

    而在2007年第一季度，依然虧損態(tài)勢(shì)不減。在2007年一季度兩家公司的閃存業(yè)務(wù)繼續(xù)虧損嚴(yán)重，ST閃存業(yè)務(wù)營(yíng)收僅為3.23億美元，更是虧損了1700萬(wàn)美元，創(chuàng)出歷史之最。英特爾閃存業(yè)務(wù)營(yíng)收為4.69億美元，總虧損已達(dá)2.83億美元。iSuppli在2006年估計(jì)全球NOR閃存時(shí)表示，ST和英特爾合計(jì)占有NOR閃存的40%，Spansion占31%，Samsung占9%。而到2007年第一季度，他們的市場(chǎng)份額已下滑至36%，而Spansion增長(zhǎng)至32%，Samsung上升到將近占13%。

    閃存業(yè)務(wù)2006年只占英特爾總營(yíng)收的6%多一點(diǎn)，已是英特爾的雞肋業(yè)務(wù)，將之剝離主體業(yè)務(wù)成為不二選擇。而ST于2006年的營(yíng)收為98.5億美元，在全球半導(dǎo)體業(yè)中排名位居前三強(qiáng)，它在高能效器件、汽車(chē)等諸多領(lǐng)域成績(jī)斐然，顯然也希望將閃存業(yè)務(wù)剝離，亦有利于輕裝上陣。所以雙方成立合資公司，可能有兩層目的，一方面有助于英特爾與意法半導(dǎo)體能擺脫虧損的NOR閃存芯片制造業(yè)務(wù)對(duì)公司業(yè)績(jī)的影響。另一方面當(dāng)然也設(shè)想依靠?jī)烧呤袌?chǎng)份額相加之后超過(guò)40%的實(shí)力，有望打造一個(gè)全新的閃存王國(guó)。

    意法半導(dǎo)體公司副總裁兼大中國(guó)區(qū)總經(jīng)理BobKrysiak表示兩家早有合并之意。而且閃存市場(chǎng)的特點(diǎn)，取得成功需要大規(guī)模的制造和量產(chǎn)能力，即建造超級(jí)Fab（晶圓廠）。

    但是實(shí)際上兩家都有難處及自己的計(jì)劃。在全球NOR閃存領(lǐng)域，Spansion目前坐頭把交椅。Spansion對(duì)于此次英特爾與意法半導(dǎo)體在閃存業(yè)務(wù)上的合并反應(yīng)并不如想象中那么強(qiáng)烈。

    Spansion表示，這將使客戶對(duì)供應(yīng)商的選擇多樣化，市場(chǎng)價(jià)格也更趨于穩(wěn)定和理性，從而為Spansion提供了良好的機(jī)遇以獲取更多的市場(chǎng)份額。Spansion強(qiáng)調(diào)其競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)在于：仍然是唯一一家投資300mm晶圓制造能力的NOR閃存供應(yīng)商，并且正在逐步實(shí)施具有突破性的計(jì)劃——— 在2007年實(shí)現(xiàn)65nmMirrorBit技術(shù)在300mm晶圓上的量產(chǎn)，以及在2008年推出45nmMirrorBit技術(shù)。堅(jiān)信通過(guò)這些計(jì)劃的實(shí)施，Spansion將擁有NOR閃存行業(yè)最低的成本結(jié)構(gòu)，并有能力創(chuàng)造差異化的增值解決方案。

    而業(yè)界之所以對(duì)于合資公司存有疑問(wèn)，表現(xiàn)在兩家巨頭公司對(duì)于未來(lái)的進(jìn)一步投資都沒(méi)有絲毫承諾。存儲(chǔ)器業(yè)拼的是資金，需要采用最先進(jìn)的制程及12英寸硅片的高產(chǎn)能。據(jù)說(shuō)合資企業(yè)將承擔(dān)13億美元定期貸款和2.5億美元的循環(huán)信貸，更重要的事實(shí)是這些債務(wù)將都要由合資公司承擔(dān)。這意味著英特爾和意法將不會(huì)再對(duì)其合資企業(yè)的約8000名員工及36億美元的年?duì)I收負(fù)責(zé)。英特爾和意法都沒(méi)打算向合資企業(yè)提供任何幫助，僅希望其自主奮斗。“負(fù)重前行”的新合資公司要逾越這多重難關(guān)殊為不易。

相變存儲(chǔ)器是否能重塑新格局

    讓業(yè)界關(guān)注的是近年來(lái)正在實(shí)現(xiàn)商用的相變存儲(chǔ)器。在2006年6月時(shí)，英特爾與ST就曾合作開(kāi)發(fā)一種結(jié)合了NOR閃存與NAND閃存特點(diǎn)的新技術(shù)PCM(相變存儲(chǔ)器)。據(jù)英特爾Roadmap顯示，相變存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)在于大于100萬(wàn)個(gè)寫(xiě)入周期，及大于10年的保存期，且無(wú)須刪除，直接就可改寫(xiě)數(shù)據(jù)，因此性能要比DRAM（動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）強(qiáng)多倍，將來(lái)是要替代DRAM市場(chǎng)，它在初期目標(biāo)市場(chǎng)將是手機(jī)和其他便攜式產(chǎn)品。

    ST公司曾稱(chēng)，容量達(dá)數(shù)GB的PCM將采用45nm或32nm工藝，將在2007年后生產(chǎn)樣品，2008年后進(jìn)行大量生產(chǎn)。英特爾曾表示，PCM產(chǎn)品可能會(huì)采用22nm工藝，這將意味著它的大量生產(chǎn)將在2010年之后。但PCM亦不是英特爾和ST獨(dú)步天下的“獨(dú)門(mén)利器”。目前包括IBM公司、Spansion、三星和NEC公司等廠商在內(nèi)的其他許多公司也在努力開(kāi)發(fā) PCM 產(chǎn)品。Spansion開(kāi)始研制結(jié)合了NOR與NAND閃存特點(diǎn)的芯片，三星推出了OneNAND和MSystems的mDOC等產(chǎn)品，這表明圍繞閃存新技術(shù)PCM的競(jìng)爭(zhēng)已然拉開(kāi)序幕，一輪新的較量就此展開(kāi)。作為相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，英特爾與ST的合資公司能否借由PCM產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)自我救贖，還要待市場(chǎng)作分曉。

    近日?qǐng)?bào)道，Numonyx公司計(jì)劃用以色列的一條8英寸生產(chǎn)線，于2008年第四季度開(kāi)始生產(chǎn)NOR閃存，2009年時(shí)達(dá)到每周8000片。這是全球第一個(gè)用 45納米制程生產(chǎn)NOR芯片的生產(chǎn)線。

    位于以色列南部的KiryatGat芯片廠，重新取名叫Fab1，目前采用65納米制程，公司生產(chǎn)NOR閃存的規(guī)格從32Mb到1Gb，每單元只能存儲(chǔ)一個(gè)數(shù)據(jù)位的單層單元到多層單元技術(shù)(MLC)的發(fā)展，不僅大幅度提高了存儲(chǔ)密度，還降低了每個(gè)字節(jié)的存儲(chǔ)成本，因此，采用多層單元和相變存儲(chǔ)兩大技術(shù)的存儲(chǔ)器是存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展的一次重大進(jìn)步。

    該工廠之前為英特爾的Fab18，從1999年開(kāi)始釆用180納米生產(chǎn)微處理器。因此工廠累積總投資已達(dá)22億美元。2008年估計(jì)再投資5000萬(wàn)至1億美元。目前Numonyx掌握全球NOR閃存的 35%市場(chǎng)份額，在Spansion和三星之后。

Numonyx前景需拭目以待

    英特爾與意法合資新建的Numonyx新廠，剛于4月1日正式亮相，在存儲(chǔ)器的下降周期時(shí)誕生可能并不是好兆頭。盡管它們的老東家的實(shí)力強(qiáng)大，但是從開(kāi)始起它們對(duì)于成立新公司的目的就有甩包袱的嫌疑。

    雖然全球閃存市場(chǎng)的前景仍然看好，但只有那些舍得繼續(xù)投入，采用最先進(jìn)制程興建超級(jí)芯片廠的制造商才能夠獲得成功，所以新公司將面臨更大的競(jìng)爭(zhēng)。

    開(kāi)發(fā)新的存儲(chǔ)器技術(shù)是能跳出目前拚投資怪圈的有效方法。雖然相變存儲(chǔ)器PCM有許多優(yōu)點(diǎn)，但必須要面臨產(chǎn)業(yè)化的最大考驗(yàn)。因此預(yù)計(jì)下一步全球閃存制造商間的兼并重組不可避免。

    至于Numonyx的前景究竟如何？需拭目以待。

相關(guān)鏈接 存儲(chǔ)器市場(chǎng)現(xiàn)狀

    全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)已經(jīng)經(jīng)歷過(guò)多次震蕩，如1995年時(shí)，全球DRAM產(chǎn)值增長(zhǎng)達(dá)40%，達(dá)到400多億美元的高峰，1996年時(shí)卻出現(xiàn)40%的負(fù)增長(zhǎng)。到了1998年，同樣的歷程反過(guò)來(lái)又重演一次，當(dāng)年的產(chǎn)值負(fù)增長(zhǎng)達(dá)30%，而至1999年時(shí)卻又大幅增長(zhǎng)達(dá)60%。

    全球DRAM產(chǎn)業(yè)通過(guò)1995～2005年期間的篩選，已從20多個(gè)廠家，減至今天的5家主要大廠。他們分別為韓國(guó)的三星及海力士，日本的Elpida，美國(guó)的Micron及歐洲的奇夢(mèng)達(dá)。我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)雖也有4大存儲(chǔ)器制造或代工廠，分別為力晶，茂德，南亞及威邦，但由于缺乏自有的技術(shù)，只能作代工，還沒(méi)有自有的品牌。如果計(jì)入代工能力之后，市場(chǎng)占有率三星仍占首位，達(dá)27%，海力士加茂德為26.6%，奇夢(mèng)達(dá)加南科為16.9%，爾必達(dá)加力晶為15.8%，美光為11.2%。

    近期又報(bào)道美光與南亞合資要在美國(guó)Idaho再建12英寸廠，表明美國(guó)國(guó)家的意志在起作用，美國(guó)除了微處理器在全球稱(chēng)霸之外，在存儲(chǔ)器中也不甘心落后。業(yè)界預(yù)計(jì)目前的存儲(chǔ)器5大家即將發(fā)生變化，不知有誰(shuí)將忍不住虧損而退出。

    實(shí)際上,2007年DRAM單元出貨量增長(zhǎng)81%，但是平均銷(xiāo)價(jià)ASP下降達(dá)39%，超出業(yè)界的預(yù)期。據(jù)Gartner報(bào)道，2007年全球存儲(chǔ)器銷(xiāo)售額下降8.4%，NAND閃存銷(xiāo)售額原先預(yù)期增長(zhǎng)26%，實(shí)際僅增長(zhǎng)2.3%，為133億美元。而NOR型閃存從2006年的85億美元，增加至2007年的98億美元，增幅達(dá)15%。

    由此，或許可能產(chǎn)生另外一種觀點(diǎn)，全球半導(dǎo)體業(yè)的周期性起伏越來(lái)越弱，而存儲(chǔ)器的周期性卻越來(lái)越明顯，成為主導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)沉浮的主要推力。

閃存前景優(yōu)于DRAM

    從SIA對(duì)各類(lèi)器件在2007年至2010年期間的預(yù)測(cè)，如圖所示，閃存的年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)20%，而存儲(chǔ)器僅為1.5%，表明閃存的前景看好。

    而在閃存中無(wú)論是NAND還是NOR型的表現(xiàn)均不差。僅從2008年來(lái)看，手機(jī)出貨量將成長(zhǎng)10%，達(dá)到12.33億部，其中插記憶卡的比重占50%；數(shù)碼相機(jī)出貨量年增長(zhǎng)率達(dá)14%，為1.3億臺(tái)；隨身碟出貨量年增長(zhǎng)率達(dá)25%，為1.7億部；MP3/PMP播放機(jī)的出貨量年增率達(dá)20%，其中采用NAND閃存比重達(dá)85%。以下為2007年全球NAND閃存排名及市場(chǎng)份額表。

工藝技術(shù)跨入5x納米12英寸占主流

    在摩爾定律指引下，全球半導(dǎo)體工藝制程幾乎每?jī)赡昕缛胍粋€(gè)新的臺(tái)階。在采用最先進(jìn)工藝制程中，存儲(chǔ)器領(lǐng)先于邏輯電路，而存儲(chǔ)器中尤以NAND閃存走在最前面，如圖所示。

    全球存儲(chǔ)器的主流工藝制程技術(shù)，在2005年時(shí)為90納米，2007年時(shí)已進(jìn)入70納米制程，估計(jì)自2008年開(kāi)始，全球幾家頂級(jí)存儲(chǔ)器廠都會(huì)向5x納米過(guò)渡。全球DRAM廠花大錢(qián)投資70納米制程，卻因?yàn)镈RAM價(jià)格下跌遠(yuǎn)快于DRAM制程技術(shù)所產(chǎn)生的成本下跌速度，使70納米制程成為DRAM產(chǎn)業(yè)有史以來(lái)最短命的技術(shù)。通常一個(gè)世代制程技術(shù)大多可使用2年，有的3年，此次70納米制程技術(shù)僅使用1年，恐是DRAM產(chǎn)業(yè)有史以來(lái)最不劃算的投資。

    我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的力晶于2007年第二季開(kāi)始導(dǎo)入70納米制程，會(huì)在2008年第二季時(shí)投入下世代65納米制程技術(shù)。三星于2007年第二季度導(dǎo)入68納米，2008年轉(zhuǎn)入58納米制程；海力士目前采用66納米制程，2008年第二季度時(shí)將導(dǎo)入54納米制程。至于溝槽式技術(shù)方面稍落后，現(xiàn)在導(dǎo)入70納米，1年后導(dǎo)入58納米制程。估計(jì)2008年全球NAND閃存廠將有可能進(jìn)入40納米制程競(jìng)爭(zhēng)。

    隨著先進(jìn)制程在存儲(chǔ)器業(yè)中的競(jìng)逐，12英寸硅片的性價(jià)比開(kāi)始超出8英寸，導(dǎo)致全球存儲(chǔ)器業(yè)開(kāi)始淘汰8英寸而全面轉(zhuǎn)向12英寸。在存儲(chǔ)器業(yè)中全球有43條8英寸生產(chǎn)線，估計(jì)每年以25%左右的比例升級(jí)至12英寸或者售出。