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GSM前端中下一代CMOS開關設計(04-100)

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作者: 時間:2008-04-09 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  功放工作在飽和方式,輸出功率可達2W,PAE也很高,約為60%,由于手機的總消耗電流有一半來自功放,因此高效率對它的電池壽命是至關重要的。然而,高PAE又易受高插入損耗的不良前端體系結構的影響。例如,一個PAE為60%的放大器,基功放與天線間的插入損耗是1.5dB,那么它的有效APE僅為42.5%。開關電路中的任何附加電流消耗將進一步降低有效PAE。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/81401.htm

  眾所周知,手機的輸出功率要求很高,達+33dBm±2dB,因而對前端的線性度也提出了極其苛刻的要求。線性度是利用諧波抑制來規(guī)定的,要求規(guī)定在12.75GHz的頻率范圍內,基波的所有諧波應抑制到低于-30dBm。

  為了保持低插入損耗,設計人員在設計時,未使用路徑通常具有較高隔離度。但對3頻帶或4頻帶手機,由于 TX頻帶和GSM850 RX頻帶是重疊的,PCS TX頻帶和DCS RX 頻帶是重疊的,因此又會出現(xiàn)一個特殊的問題。在發(fā)射期間,RX帶通濾波器并不能對通過開關漏入的發(fā)射信號提供任何衰減。要想保護跟隨在RX濾波器之后的LNA,開關本身必須提供至少35dB的隔離度。

  GSM標準明文規(guī)定的還有開關時間要求。發(fā)射與接收之間的停留時間為28ms。當從RX開關至TX時,10mS內不能發(fā)送信號,以便完成開關動作。盡管有10mS時間,設計人員寧愿將開關時間設定在1-5mS之間,確保開關在TX發(fā)射前達到穩(wěn)定狀態(tài)。同時,一旦功放工作,開關還應符合諧波抑制要求。從TX到RX規(guī)定的開關時間是相同的。

  由于前端開關直接連接到天線,開關的又一個艱巨任務是要有強ESD承受能力。根據(jù)IEC1000-4-2規(guī)范,手機設計應能承受±16KV空氣放電。這類ESD模型相當于330W電阻與150pF電容的串聯(lián),比人體模型更易損壞。開關本身要具有這個強度,否則,要另加保護元件。

  一旦上述技術要求都已圓滿解決,前端開關解決方案還附加有尺寸和高度的約束條件。面積和高度兩者都有嚴格的限制,其高度不得超過1.5mm。由于前端開關通過集成在多層襯底中(如LTCC低溫共燒陶瓷),已建立的行業(yè)標準規(guī)格因子為減少體積提供了可依據(jù)的路線圖。考慮到ASM(天線開關模塊)是無線電部分最高的封裝,因此可縮小ASM尺寸的種種技術備受手機生產(chǎn)廠商的青睞。LTCC具有在襯底中高品質因數(shù)無線集成的能力,但增加無源元件需附加的LTCC層,從而增加了模塊的厚度。功放諧波濾波器可集成在襯底上,而頻率隔直電容和ESD保護不得不放置在模塊的外部。某些ASM在LTCC頂部集成有譯碼器以及SAW濾波器。

  符合GSM手機技術要求有多種開關技術,且各有各的優(yōu)點和缺點,這些技術在下面詳加討論。

  開關解決方案

  上世紀七十年代,PIN二極管的出現(xiàn)標志固體開關行業(yè)的誕生。PIN二極管具有極低的插入損耗和諧波器畸變,仍然是ASM的主導技術。然而,PIN二極管存在著自身的缺陷,不能構成完整的ASM。為了偏置二極管,模塊需設置隔直電容和供電電感。為了制作多刀開關,又需用四分之一波長的二極管串、并聯(lián)組合(見圖1a)。LTCC中,900MHz的四分之一波長相當于幾個厘米,這些傳輸線增加了二極管基ASM的尺寸。



關鍵詞: GSM CMOS

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