聯(lián)電公布技術(shù)發(fā)展圖 質(zhì)疑450mm晶圓可行性
在設(shè)計(jì)自動(dòng)化會(huì)議(DesignAutomationConference,DAC)上,臺(tái)灣代工廠商聯(lián)電(UMC)公布了公司的工藝發(fā)展路線圖,并宣布與EDA領(lǐng)域形成聯(lián)盟關(guān)系。
與代工龍頭廠商臺(tái)積電(TSMC)不同,全球第二大代工廠商聯(lián)電(UMC)表示,不開(kāi)發(fā)下一代450mm晶圓技術(shù)。
聯(lián)電的65nm技術(shù)已啟動(dòng)了一段時(shí)間,公司將立即進(jìn)入45nm和40nm節(jié)點(diǎn)。其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電也正在將高k金屬柵方案用于32nm節(jié)點(diǎn)。
聯(lián)電的45/40nm工藝采用多層金屬、銅互連和超低k介質(zhì)等技術(shù)。在該節(jié)點(diǎn),k系數(shù)約為2.5,而65nm節(jié)點(diǎn)上該數(shù)字為3.0。
同時(shí)聯(lián)電將采用沉浸式光刻技術(shù)。45/40nm工藝預(yù)計(jì)在今年底進(jìn)入初產(chǎn)階段。
聯(lián)電在32nm節(jié)點(diǎn)的研發(fā)上也從未停下腳步,預(yù)計(jì)將在2010年底發(fā)布,該工藝將采用高k金屬柵技術(shù)。聯(lián)電拒絕透露詳細(xì)信息。
聯(lián)電預(yù)計(jì)將在Fab12300mm工廠投入45/40nm工藝,該工廠位于臺(tái)灣臺(tái)南。從目前來(lái)看,聯(lián)電還為推進(jìn)450mm晶圓廠,而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電,以及英特爾和三星正在推行450mm晶圓廠,預(yù)計(jì)將在2012年完成。
“目前,450mm還不是一項(xiàng)激動(dòng)人心的技術(shù)。”聯(lián)電副總裁李?。↙eeChung)說(shuō)道,“在300mm技術(shù)中,還有許多改善生產(chǎn)效率的事情可以做。”
當(dāng)被問(wèn)及是否認(rèn)為450mm會(huì)在2012年出現(xiàn)時(shí),李俊說(shuō)道:“我不相信。”他表示,真正面臨挑戰(zhàn)的是設(shè)備制造商,他們對(duì)進(jìn)入450mm世代沒(méi)有太大的興趣。
聯(lián)電還公布了一些和EDA廠商聯(lián)盟的策略。Cadence和聯(lián)電公布了基于CommonPowerFormat的低功耗設(shè)計(jì)參考流程,針對(duì)聯(lián)電的65nm工藝。
Synopsys和聯(lián)電也發(fā)布了低功耗設(shè)計(jì)參考流程,支持聯(lián)電的65nm工藝。新流程包括基于UnifiedPowerFormat標(biāo)準(zhǔn)的RTL-to-GDSII設(shè)計(jì)功能。
Magma和聯(lián)電也公布了基于聯(lián)電65nm工藝庫(kù)的低功耗RTL-to-GDSII設(shè)計(jì)流程。
評(píng)論