KLA-Tencor 推出第十代電子束偵測(cè)系統(tǒng)

　　KLA-Tencor 公司（納斯達(dá)克股票代碼：KLAC）今天宣布推出 eS35 電子束偵測(cè)系統(tǒng)，該系統(tǒng)能夠以大幅提升的速度檢測(cè)和分類更小的物理缺陷，以及更細(xì)微的電子缺陷。eS35 屬于 KLA-Tencor 的第十代電子束偵測(cè)系統(tǒng)，它具備更高的靈敏度，改善了單機(jī)檢查和分類，并且顯著加強(qiáng)了吞吐能力，以提高 4Xnm 和 3Xnm 設(shè)備的良率。

　　KLA-Tencor 的電子束技術(shù)部集團(tuán)副總裁兼總工程師 Zain Saidin 表示：“電子束偵測(cè)對(duì)于捕獲和發(fā)現(xiàn)最小缺陷以及只能通過它們的電子特征檢測(cè)到的缺陷至關(guān)重要。但是，隨著晶片廠開始研究 4Xnm 和 3Xnm 節(jié)點(diǎn)，他們反映現(xiàn)在的電子束偵測(cè)系統(tǒng)無法持續(xù)捕獲某些缺陷類型——例如 DRAM 中的高縱橫比電容底部的微小殘留物、先進(jìn)閃存中的細(xì)微位線橋接，或邏輯設(shè)備中的表面下短路或管線連接。作為電子束偵測(cè)技術(shù)的領(lǐng)袖，我們能夠利用我們的經(jīng)驗(yàn)和資源解決此問題，這不僅是通過改進(jìn)電子束系統(tǒng)本身，而且還通過領(lǐng)先業(yè)界的光學(xué)偵測(cè)系統(tǒng)的專用圖像分析計(jì)算技術(shù)來加以解決。因此，我們開發(fā)出了靈敏度和吞吐能力均無可比擬的下一代電子束工具，讓晶片廠能夠以高靈敏度在線內(nèi)操作該檢測(cè)設(shè)備。eS35 旨在讓我們的客戶能夠盡可能快速和高效地生產(chǎn)他們的下一代設(shè)備。”

　　eS35 擁有明顯更高的電子束電流密度、更小的像素和更快的數(shù)據(jù)速率，可提高最小缺陷捕獲率，且其吞吐能力是上一代系統(tǒng)——業(yè)界領(lǐng)先的 eS32 的二至四倍。這些改善得益于更低的噪聲基底和先進(jìn)的算法，從而在整個(gè)晶片的每個(gè)芯片區(qū)獲得最大的靈敏度。由于具備更高的靈敏度和業(yè)界最廣泛的電子束條件和預(yù)掃描條件選擇，讓 eS35 能夠在最大的缺陷類型和材料范圍內(nèi)捕獲缺陷。

　　eS35 捕獲有代表性的缺陷群之后，新的強(qiáng)化單機(jī)檢查功能可提供關(guān)鍵缺陷的高解析度圖像?；谝?guī)則的分類應(yīng)用程序采用 KLA-Tencor 光學(xué)偵測(cè)系統(tǒng)中的算法，對(duì)缺陷進(jìn)行高精度和高純度分類。分類結(jié)果被編制成為缺陷帕雷托排列圖，缺陷或良率工程師可依據(jù)此圖來矯正缺陷偏移根源，同時(shí)盡量降低對(duì)在制品的影響。

　　eS3x 系列電子束偵測(cè)系統(tǒng)廣為先進(jìn)晶片廠所采用，并獲得極大成功。KLA-Tencor 在此基礎(chǔ)上開發(fā)出的 eS35 系統(tǒng)，將提供給亞洲、美國和歐洲的內(nèi)存和邏輯芯片客戶。該系統(tǒng)目前用于 6Xnm 和 5Xnm 設(shè)備生產(chǎn)、4Xnm 改善和 3Xnm 開發(fā)，捕獲前端層和后端層上的各類缺陷。

　　關(guān)于 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是專為半導(dǎo)體和相關(guān)微電子行業(yè)提供制程控制及良率管理解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商。該公司總部設(shè)在美國加州的圣何塞市，銷售及服務(wù)網(wǎng)絡(luò)遍布全球。KLA-Tencor 躋身于標(biāo)準(zhǔn)普爾 500 強(qiáng)公司之一，并在納斯達(dá)克全球精選市場上市交易，其股票代碼為 KLAC。有關(guān)該公司的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問 http://www.kla-tencor.com。

　　eS35 技術(shù)摘要

　　業(yè)界領(lǐng)先的缺陷捕獲率

　　靈敏度
　　
　　eS35 電子束偵測(cè) (EBI) 系統(tǒng)推出了多項(xiàng)技術(shù)改善，提高了對(duì)限制良率的電子缺陷和細(xì)小物理缺陷的捕獲率。電子束密度較前代系統(tǒng)提高了 2.5 倍，其更小的束斑尺寸和硬件增強(qiáng)可全面降低噪聲基底，提供更高的密度，解決最小的物理缺陷和最細(xì)微的電壓對(duì)照 (VC) 問題。算法從 KLA-Tencor 的明區(qū)檢測(cè)儀獲得，這能降低噪聲，并為芯片的各個(gè)部分帶來更高靈敏度，從而獲得更高的關(guān)鍵缺陷百分比。其結(jié)果是，缺陷圖顯示出對(duì)于電子測(cè)試圖的更強(qiáng)相關(guān)性。

　　更廣的捕獲缺陷類型

　　業(yè)界最廣泛的電子束條件（電子束電流、Wehnelt 電壓、沉淀能量）與更寬廣的預(yù)掃描條件選擇相結(jié)合，讓 eS35 能夠處理的材料和層范圍廣度位居業(yè)界之冠。

　　系統(tǒng)性缺陷檢測(cè)

　　由于系統(tǒng)性缺陷可能對(duì)良率產(chǎn)生重大的影響，eS35 采用了 KLA-Tencor 的 ?LoopTM 專利技術(shù)。無論是否提供測(cè)試晶片，?Loop 代理都能更快地檢測(cè)系統(tǒng)性缺陷，其優(yōu)越性尤其體現(xiàn)在邏輯和閃存設(shè)備的上面。

　　更快生成可操作缺陷帕雷托排列圖

　　吞吐能力

　　數(shù)據(jù)速率提高到 800 mpps，更高的電子束電流支持采用更大像素檢測(cè)， eS35 偵測(cè)系統(tǒng)的吞吐能力是前代系統(tǒng)的二至四倍。更快的速度可以支持更高靈敏度的操作，或更具有統(tǒng)計(jì)意義的可靠抽樣，以實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的制造控制。

　　缺陷檢查和分類

　　改善的單機(jī)檢查圖像質(zhì)量和新的缺陷分類算法讓工程師能夠快速找到并解決缺陷問題。更好的檢查圖像質(zhì)量支持更快速的配方調(diào)校，并成為更準(zhǔn)確缺陷分類的基礎(chǔ)。基于規(guī)則的分類與最近鄰近算法相結(jié)合，將提高分類純度和精度；同時(shí)，基于電路結(jié)構(gòu)的實(shí)時(shí)分類算法自動(dòng)將 VC 缺陷按照具體的微結(jié)構(gòu)歸類。