運算放大器的噪聲分析與設計

　　D類音頻功率放大器中，前置運算放大器是一個比較重要的模塊，它位于整個拓撲結構中的前面，完成輸入信號源的加工處理，或者實現(xiàn)放大增益的設置，或者實現(xiàn)阻抗變換的目的，使其和后面功率放大級的輸入靈敏度相匹配；前置放大器獲得并穩(wěn)定輸入音頻信號，并確保差動信號，設計時需要盡量減小其等效輸入的閃爍噪聲及熱噪聲，降低輸出電阻，增加其PSRR、CMRR、SNR、頻帶寬度、轉換效率等參數(shù)。

　　一般來說，雙極晶體管的閃爍噪聲具有較低的轉角頻率(閃爍噪聲和熱噪聲的交叉點)，低于MOS晶體管的閃爍噪聲，在音頻等低頻的設計系統(tǒng)中，應用雙極晶體管的設計有利于降低噪聲，然而在混合信號電路的設計中，襯底噪聲對雙極晶體管就有很大的影響，所以在混合信號電路設計中，更多的使用MOS晶體管，因此這里提到的運放就采用CMOS工藝完成了相應的設計。

　　1 音頻功放中前置運算放大器的功能

　　如圖1所示，D類音頻功率放大器主要由以下幾個模塊組成：前置運算放大器、調制級、偏置、控制級、驅動級及輸出功率管級(BTL)；前置運算放大器位于整個結構的最初端，本設計中，要求前置運放有正常工作模式(play)及噪聲抑制工作模式(mute)兩種工作模式，在正常工作模式下，運放接收信號源，正常工作，后面各級完成相應調制及信號的再生；在噪聲抑制工作模式下，運放停止接收輸入信號源，差分輸出端各被鉗制在固定的電壓下，其它模塊正常工作，BTL輸出端為相同的輸出方波，在負載上，看不到信號的再生重現(xiàn)，此時處于靜音狀態(tài)，使用靜噪狀態(tài)的主要作用是抑制開關機時候的爆裂(pop)噪聲，其實現(xiàn)的電路內部結構如圖2所示。

　　2 前置運算放大器的噪聲特性

　　運算放大器電路中存在5種噪聲源：散粒噪聲(Shot Noise)、熱噪聲(Thermal Noise)、閃爍噪聲(Flicker Noise)、爆裂噪聲(Burst Noise)、雪崩噪聲(Avalanche Noise)，對于CMOS工藝，散粒噪聲、爆裂噪聲和雪崩噪聲在運算放大器電路中通常沒有太大影響，即使有，也能夠消除，在噪聲分析中可以不予考慮。

　　2.1 噪聲模型

　　電阻的噪聲主要是熱噪聲。該噪聲可以等效為一個理想的無噪聲電阻串連一個電壓源，或并聯(lián)一個電流源作為它的噪聲模型，其等效的噪聲電流及電壓分別為：

　　運算放大器制造商提供的噪聲指標，通常是指在運算放大器輸入端測試的噪聲，包括熱噪聲及閃爍噪聲。而運算放大器內部的噪聲通過內部等效來描述，運算放大器內部可視為一個理想的無噪聲運算放大器(Noisless OpAmp)，通過在理想無噪聲運算放大器的同相輸入端串聯(lián)一個噪聲電壓源，同相、反相輸人端到地分別串聯(lián)一個噪聲電流源，來表征內部噪聲，對于單管NMOS或者PMOS，它們的等效噪聲電流及噪聲電壓分別為：

　　上面各式及下面提到的公式中，K為Boltzmann常數(shù)，T是熱力學溫度，gm為晶體管的跨導。k是MOS晶體管閃爍噪聲系數(shù)，W，L分別為MOS晶體管的有效柵寬度和長度，Cox是單位面積的柵氧化層電容。

　　2.2 前置運算放大器的噪聲分析

　　音頻功率放大器中的前置運放，其噪聲模型可以如圖4所示，R1、R2是輸入電阻，R3、R4是反饋電阻，R3和R4為可調電阻，用于設置其整個功放的增益，e1、e2、e3、e4分別為4個電阻的熱噪聲電壓，4個電阻對輸入的噪聲影響電壓分別為：

　　其前置運算放大器的噪聲為電阻噪聲與其運放內部噪聲的總和，下面就分析運放內部噪聲。

　　2.3 全差分運放的內部噪聲分析

　　我們知道，噪聲設計的關鍵是輸入級的低噪聲設計，因此在大多數(shù)運放設計的時候，第一級的關鍵不是增益的設計，因為這一級的噪聲大小直接決定了整個運放的噪聲特性。PMOS管比NMOS管的噪聲系數(shù)低，利于減小其輸入噪聲電壓，因此輸入級常采用：PMOS管差分輸入結構。圖5就是運放輸入級的噪聲分析圖，輸入管為PMOS。