飛兆半導體舉辦第六屆全球功率技術研討會

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 將于9月起舉辦第六屆全球技術研討會，每個研討會均為期一天，內(nèi)容非常豐富，將為功率設計工程師提供開發(fā)高能效應用的設計技術、產(chǎn)品技術和行業(yè)發(fā)展趨勢信息。

　　2008 至 2009年度功率技術研討會的技術主題包括：

　　通過修正的正弦脈寬調(diào)制 (PWM) 減小 BLDC 紋波扭矩

　　PQFN封裝的板級評測

　　不對稱半橋轉換器的設計考慮事項.

　　高能效低待機功耗的輔助電源設計

　　從電源到變壓器.

　　在低輸出電壓的直流－直流轉換器中，如何選擇MOSFET 以減少損耗

　　錯相式臨界電流模式PFC轉換器介紹
 
　　飛兆半導體的功率技術研討會初步將于9月開始在北美、南美和亞洲超過20個城市舉辦，地點、日程表和每場技術講座的介紹，以及登記信息可從網(wǎng)址www.fairchildsemi.com/Powerseminar/ 獲取。此外，飛兆半導體還計劃于2009年2月開始將功率技術研討會推展至歐洲。

　　飛兆半導體市務副總裁Andrea Mirenda稱：“飛兆半導體深入的功率技術研討會由功率電子領域上的能效專家主講。他們將會探討采用專用模擬、分立和光電子解決方案來優(yōu)化系統(tǒng)功率的方法，設計工程師可望從中學習到能夠提升系統(tǒng)性能、符合能效法規(guī)，并節(jié)省總體系統(tǒng)成本的技術。我們很高興舉辦這一年一度的功率技術研討會，它是公司全球功率資源 (Global Power ResourceSM ) 的一環(huán)，該資源網(wǎng)絡包羅了全球各地的功率設計中心、在線設計工具以及系統(tǒng)設計的專家，而專家們更與客戶密切合作，以優(yōu)化和創(chuàng)新電子應用的設計。”