英特爾在硅光電子學(xué)取得重大技術(shù)突破

　　12月8日消息，英特爾公司8日對(duì)外宣布，其在硅光電子學(xué)領(lǐng)域取得了又一項(xiàng)重大的技術(shù)突破，這項(xiàng)突破可以基于硅的雪崩光電探測(cè)器(Silicon-based Avalanche Photodetector)實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)世界紀(jì)錄的高性能，與目前市場(chǎng)上的同類器件相比可大幅度降低成本并提高性能。

　　英特爾稱，此次在硅光電子學(xué)上取得的重大技術(shù)突破是繼英特爾實(shí)現(xiàn)快速硅調(diào)制器和混合硅激光器等技術(shù)后的又一項(xiàng)重大進(jìn)展。這項(xiàng)技術(shù)可在寬帶、萬(wàn)億次計(jì)算、傳感與安全領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用。

　　英特爾企業(yè)技術(shù)事業(yè)部電子技術(shù)研究室高級(jí)研究員亢宜敏博士向新浪科技介紹，特爾研究人員領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)成功研制出的硅基雪崩光電探測(cè)器，通過(guò)探測(cè)微弱光信號(hào)并將其放大而擁有卓越的靈敏度。這款雪崩光電探測(cè)器使用硅和CMOS工藝實(shí)現(xiàn)了有史以來(lái)最高的340 GHz“增益-帶寬積”。這為降低40Gpbs或更高數(shù)據(jù)傳輸速度的光學(xué)鏈路的成本開(kāi)啟了大門，同時(shí)也第一次證明了硅光電子元器件的性能可以超過(guò)現(xiàn)有的使用磷化銦(InP)等更昂貴傳統(tǒng)材料制造的光電子元器件的性能。

　　中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員成步文解釋說(shuō)，英特爾研究人員實(shí)現(xiàn)的增益帶寬積達(dá)到的340GHz打破了記錄，具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，這再次證明了Si基材料可以用于制備性能優(yōu)越、價(jià)格低廉的光電子器件，并顯示出Si基光子學(xué)所蘊(yùn)涵的巨大應(yīng)用潛力和廣闊的發(fā)展空間。

　　英特爾院士、光電子學(xué)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室總監(jiān)Mario Paniccia博士在一份聲明中表示：“這項(xiàng)研究成果再次展示了硅可以用于制造超高性能的光電產(chǎn)品。除了光學(xué)通信，這些硅基雪崩光電探測(cè)器還可以應(yīng)用于傳感、成像、量子密碼學(xué)或生物學(xué)等領(lǐng)域。”