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半導體面臨惡劣衰退 設備產業(yè)將付出代價

作者: 時間:2009-01-21 來源: 半導體技術天地 收藏
  在美國舉行的SEMI Strategy Symposium(ISS)上,演講者發(fā)表觀點稱,產業(yè)當前面臨著二戰(zhàn)后最惡劣的衰退。

  Global Insight首席經濟學家Nariman Behravesh稱,當前市場低迷可能是近60年來持續(xù)時間最長的一次,GDP下滑也是最深的一次。“08第四季度和09第一季度連續(xù)兩個季度的下滑幾近歷史記錄,而08年11月和12月薪水減少的幅度描繪了一幅自由落體的畫面。”Behravesh說道,他補充道:“09年年中是否能好轉取決于當前適當的刺激措施。”歐洲和日本==的保守反應可能會延長市場衰期,中國==宣布的大額注資計劃將為2009年的增長率貢獻兩個百分點。

  Gartner制造分析師Bob Johnson就芯片產業(yè)是否已成為無利潤行業(yè)提出了觀點。在相對強勁的2003年至2006年,產
業(yè)凈收入為1327億美元,銷售收入為9025億美元,邏輯IDM創(chuàng)造了635億美元的利潤,數模混合芯片制造商獲利123億美元,無晶圓設計公司獲利213億美元,代工廠和封測服務供應商獲利204億美元,由此可見良好的利潤完全是有可能的。

  然而,在連續(xù)幾年的低利潤率(小于4%)之后,產業(yè)去年呈現凈虧損,今年這種形式仍將繼續(xù),Johnson說道。存儲器制造商面臨并購和聯盟大潮。根據存儲器制造商在尖端技術(55nm)上的獲利數據,Johnson指出存儲器公司“應該投資于最尖端的技術,而不是產能,通過技術提升提高出貨量。”

超大存儲晶圓廠

  VLSI Research公司CEO Dan Hutcheson表示,目前將近60%的產能是90nm及以下節(jié)點,約55%的尖端產能用于DRAM和閃存制造。由于太多的存儲器廠商投資了太多的產能,造成了“撞車”的局面,Hutcheson說道。

  VLSI Research估計2008年NAND flash市場為119億美元,Hutcheson稱幾乎都無法支持兩座60億美元的超級大廠,研發(fā)狀況更令人堪憂。

  DRAM情況也大同小異,2008年DRAM市場為250億美元,Hutcheson稱為兩座超級大廠提供了空間。目前,DRAM市場由9家競爭廠商分食,大多數廠商的收入小于4億美元,存儲器產業(yè)必須凝練。

  在存儲器廠商減少資本支出的情況下,存儲器價格可能繼續(xù)反彈,但設備產業(yè)將為此付出代價,Hutcheson說道。今年年設備收入約為300億美元,明年將反彈至420億美元,2011年將增至520億美元。“接下來的幾年里形勢將非常艱難,”Hutcheson說道,“設備商要學會在低利潤下生存。”

  高端無線器件將是增長的一塊市場,包括4-6英寸便攜式電腦和7-12英寸的上網本所帶來的市場,Qualcomm CDMA Technologies高級副總裁Jim Clifford說道。

  智能手機和其他無線手持設備繼續(xù)保持高出貨量,年銷售量將為14億只,去年全尺寸筆記本出貨量約為2.1億個。在高端手機和全尺寸筆記本之間存在著肥沃的市場,那就是便攜式電腦和上網本。


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