IBM將與法國LETI聯(lián)手開發(fā)22nm制程技術

　　IBM與法國原子能署下屬的電子資訊科技實驗室(CEA/LETI)近日宣布將合作研究開發(fā)半導體與納米電子相關技術。雙方將就22nm制程工藝有關的高級材料，設備及制造工藝方面進行合作，合約期為5年。

　　研究工作將在IBM公司在東Fishkill的300mm工廠，Nanotech/意法半導體公司在法國Crolles的工廠以及CEA/LETI位于Grenoble的300mm設施中展開。而來自CEA/LETI的一支研究團隊則將在Albany Nanotech公司開展這項研究工作。CEA/LETI將不會加入IBM的“制造廠俱樂部”(fab club)聯(lián)盟，而只會加入IBM的“聯(lián)合開發(fā)共同體”聯(lián)盟進行技術合作。

　　本次合作將主要涉及三個領域：22nm制程用高級光刻技術;22nm制程CMOS技術以及低功耗技術;以及納米級成型工藝(nanoscale characterization)技術。