三星改進DRAM芯片明年應用于生產(chǎn)

　　全球最大的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商三星電子宣布，已經(jīng)成功采用70納米生產(chǎn)工藝制造出第一塊DRAM芯片。一旦這種生產(chǎn)工藝廣泛應用于該公司的生產(chǎn)線，從同一硅片上生產(chǎn)的芯片數(shù)量將會翻倍。 

　　芯片上的晶體管越多，它們之間的距離就越近，芯片性能也將得到提升。對于三星、美光和英飛凌等廠商，開發(fā)新技術對于削減成本以及增加銷量是至關重要的。 

　　DRAM芯片在線票據(jù)交換所宣稱，應用最廣泛的DRAM芯片的價格今年下跌了1/3，目前每塊的價格僅為2.53美元。由于生產(chǎn)商大量的需求，現(xiàn)貨市場上的DRAM如同原油和小麥一樣火爆。 

　　三星同時預計，與目前DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)線采用的90納米生產(chǎn)工藝相比，采用新的生產(chǎn)技術之后，從相同一塊硅片上生產(chǎn)的芯片數(shù)量起碼要增加1倍。用于生產(chǎn)芯片的硅片大小與盤子相當，每塊硅片可以生產(chǎn)出數(shù)千塊芯片。 

　　三星發(fā)言人表示，“我們定于明年下半年將70納米生產(chǎn)工藝廣泛應用到DRAM芯片生產(chǎn)中。”目前，該公司已經(jīng)將這種工藝用于NAND閃存芯片的生產(chǎn)，但DRAM芯片仍主要采用80和90納米生產(chǎn)工藝。該公司同時發(fā)表聲明稱，為了突破70納米生產(chǎn)技術的局限性并改進數(shù)據(jù)刷新功能，公司仍有必要進行技術革新。 

　　三星是在去年中期開始采用90納米生產(chǎn)工藝進行DRAM芯片生產(chǎn)的，并從今年下半年開始采用80納米生產(chǎn)工藝。三星表示，從明年中期開始，將采用70納米生產(chǎn)工藝，生產(chǎn)容量為512Mb、1Gb以及2Gb的DRAM芯片。