三星改進DRAM芯片明年應(yīng)用于生產(chǎn)
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芯片上的晶體管越多,它們之間的距離就越近,芯片性能也將得到提升。對于三星、美光和英飛凌等廠商,開發(fā)新技術(shù)對于削減成本以及增加銷量是至關(guān)重要的。
DRAM芯片在線票據(jù)交換所宣稱,應(yīng)用最廣泛的DRAM芯片的價格今年下跌了1/3,目前每塊的價格僅為2.53美元。由于生產(chǎn)商大量的需求,現(xiàn)貨市場上的DRAM如同原油和小麥一樣火爆。
三星同時預(yù)計,與目前DRAM產(chǎn)品生產(chǎn)線采用的90納米生產(chǎn)工藝相比,采用新的生產(chǎn)技術(shù)之后,從相同一塊硅片上生產(chǎn)的芯片數(shù)量起碼要增加1倍。用于生產(chǎn)芯片的硅片大小與盤子相當(dāng),每塊硅片可以生產(chǎn)出數(shù)千塊芯片。
三星發(fā)言人表示,“我們定于明年下半年將70納米生產(chǎn)工藝廣泛應(yīng)用到DRAM芯片生產(chǎn)中?!蹦壳埃摴疽呀?jīng)將這種工藝用于NAND閃存芯片的生產(chǎn),但DRAM芯片仍主要采用80和90納米生產(chǎn)工藝。該公司同時發(fā)表聲明稱,為了突破70納米生產(chǎn)技術(shù)的局限性并改進數(shù)據(jù)刷新功能,公司仍有必要進行技術(shù)革新。
三星是在去年中期開始采用90納米生產(chǎn)工藝進行DRAM芯片生產(chǎn)的,并從今年下半年開始采用80納米生產(chǎn)工藝。三星表示,從明年中期開始,將采用70納米生產(chǎn)工藝,生產(chǎn)容量為512Mb、1Gb以及2Gb的DRAM芯片。
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