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臺積電承認(rèn)40納米工藝遭遇障礙

作者: 時間:2009-05-05 來源: 收藏

  在公布最新季度財報的同時,也第一次公開承認(rèn),其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/94033.htm

  在去年底基本準(zhǔn)時地上馬了40nm生產(chǎn)線,并在今年第一季度貢獻(xiàn)了大約1%的收入,高于預(yù)期水準(zhǔn),預(yù)計今年第二季度會達(dá)到2%左右。

  CEO蔡力行在回答分析師的提問時說:“良品率是有些問題。對制造商而言40nm是一項非常困難的技術(shù)。(不過)我們已經(jīng)找到了問題的根源,并且已經(jīng)或正在解決。”

  結(jié)合此前消息,臺積電40nm工藝可能無法很好地控制漏電率,難以制造高性能GPU,不過蔡力行并未詳加說明,只是聲稱臺積電已經(jīng)完成了基于28nm工藝的可用SRAM單元,預(yù)計2010年第一季度開始啟用這種新工藝,屆時會帶來高K介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)。

  蔡力行還在會議期間對今年的多個行業(yè)進(jìn)行了展望:IC產(chǎn)業(yè)跌20%、代工產(chǎn)業(yè)跌25-30%、PC出貨量跌8%、手機出貨量跌12%、消費電子產(chǎn)品出貨量跌7%。

  今年第一季度臺積電收入395.00億新臺幣(¥81.26億元),環(huán)比減少38.8%、同比減少54.8%,凈利15.59億新臺幣(¥3.21億元),環(huán)比減少87.5%、同比減少94.5%。臺積電將此糟糕業(yè)績歸咎于全球經(jīng)濟(jì)低迷導(dǎo)致客戶調(diào)整庫存,半導(dǎo)體行業(yè)需求全面銳減。

  就生產(chǎn)工藝而言,0.13微米依然撐起了臺積電總收入的65%,其次是90nm 25%、65nm 23%、4540nm1%。

  競爭對手聯(lián)電一季度虧損81.6億新臺幣,相比上季度的235.1億新臺幣大為減少,并預(yù)計今年第二季度即可重新盈利,同時生產(chǎn)線開工率已從30%升至75%。



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