飛兆推出可將導(dǎo)通電阻降低50％的100V MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench® 工藝技術(shù)，能夠最大限度地減小導(dǎo)通阻抗，同時保持優(yōu)良的開關(guān)性能和穩(wěn)健性。相比柵級電荷相同的現(xiàn)有解決方案，這一專有工藝技術(shù)提供了業(yè)界最低的RDS (ON) (8 mΩ)，使FDMS86101得以減小導(dǎo)通損耗，而不會受到較高柵級電荷的影響。以太網(wǎng)、刀片服務(wù)器和電信應(yīng)用正逐漸從12V轉(zhuǎn)向48V電源，對于優(yōu)化開關(guān)效率的需求變得越來越重要。

　　PowerTrench MOSFET 內(nèi)置增強型軟體 (soft-body) 二極管，可以減小開關(guān)噪聲并降低應(yīng)用的EMI 敏感性。這項功能可以節(jié)省線路板空間和減少組件數(shù)目，而許多替代解決方案卻需要加入一個緩沖器網(wǎng)絡(luò)才能減小開關(guān)噪聲尖峰。

　　FDMS86101是飛兆半導(dǎo)體全面的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一員，能夠滿足當(dāng)今電子產(chǎn)品的電氣和熱性能要求，有助于實現(xiàn)更高的能效。飛兆半導(dǎo)體性能先進的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的米勒電荷(QGD)、RDS(on) 和總柵極電荷 (QG)，從而獲得出色的開關(guān)性能和熱效率。