Maxim推出850MHz至1550MHz SiGe無(wú)源混頻器

　　Maxim推出業(yè)內(nèi)性能最佳的完全集成、850MHz至1550MHz SiGe無(wú)源混頻器MAX2051。器件專為多載波電纜前端下行視頻、電纜調(diào)制解調(diào)器終端系統(tǒng)(CMTS)、視頻點(diǎn)播和DOCSIS®兼容的邊沿QAM調(diào)制以及無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用而設(shè)計(jì)，在較寬的50MHz至1000MHz IF頻帶內(nèi)具有優(yōu)異的線性度和雜散抑制性能。當(dāng)配置為下變頻器時(shí)，該單個(gè)IC提供35dBm的IIP3、24dBm的IP1dB、7.4dB的轉(zhuǎn)換損耗和7.8dB的噪聲系數(shù)。此外，在整個(gè)50MHz至1000MHz IF頻帶內(nèi)，器件具有優(yōu)異的2 x 1、2 x 2和3 x 3雜散抑制，典型值分別為88dBc、79dBc和101dBc (輸入電平為-14dBm)。器件極高的線性度和優(yōu)異的雜散抑制性能對(duì)于確保電纜前端系統(tǒng)中的50MHz至1000MHz DOCSIS兼容傳輸十分重要。

　　作為上變頻器使用時(shí)，MAX2051具有同樣優(yōu)異的性能：IIP3為33.4dBm、轉(zhuǎn)換損耗僅為7.5dB、LO ±2IF抑制優(yōu)于61dBc、LO ±3IF抑制優(yōu)于78dBc。器件理想用于點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)的微波及固定帶寬無(wú)線接入基站應(yīng)用，這些應(yīng)用需要覆蓋850MHz至1550MHz頻帶的一次和二次IF上變頻級(jí)。

　　Maxim專有的SiGe工藝使MAX2051在單個(gè)芯片中集成了先進(jìn)的雙平衡混頻器內(nèi)核以及一個(gè)LO放大器、2個(gè)非平衡變壓器和多個(gè)分立元件。與類似的競(jìng)爭(zhēng)方案相比，MAX2051減少了72%的電路板空間和25%的分立元件數(shù)量。器件優(yōu)異的雜散性能還簡(jiǎn)化了相鄰諧波分量的濾波要求，從而使濾波器設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)單、尺寸更小、性價(jià)比更高。

　　為實(shí)現(xiàn)混頻器較寬的IF范圍，MAX2051包含了同樣寬范圍的LO緩沖電路，該電路針對(duì)1200MHz至2250MHz頻帶的高端LO注入架構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。片上0dBm LO驅(qū)動(dòng)緩沖器提供±3dB的驅(qū)動(dòng)差異控制，從而在整個(gè)溫度、電源和輸入功率范圍內(nèi)保證了增益、噪聲系數(shù)和IIP3性能的穩(wěn)定性。MAX2051在-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)異的0.01dB/°C增益變化性能。MAX2051提供緊湊的5mm x 5mm、20引腳TQFN無(wú)鉛封裝。