美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米　為明年大戰(zhàn)暖身

　　三星電子(Samsung　Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn)，爾必達(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程，將成為美光旗下第1個導(dǎo)入40納米制程的廠房，為2010年40納米大戰(zhàn)來臨作暖身!美光指出，雖然現(xiàn)在多家DRAM廠開始復(fù)工生產(chǎn)，但多是采用落后制程生產(chǎn)，也很難募得新資金升級機器設(shè)備，因此不認為全球DRAM產(chǎn)業(yè)供需會因此惡化。

　　美光表示，2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程，大量轉(zhuǎn)進50納米制程，就技術(shù)角度而言相當艱鉅，且同時也需要龐大的資金挹注，才能完成整個轉(zhuǎn)換過程。

　　美光分析，在50納米制程上，預(yù)計每生產(chǎn)每1,000片晶圓，每1個月投資金額約1,200萬美元，但到了40納米制程6F2技術(shù)上，同樣生產(chǎn)1,000片晶圓，每1個月投資金額只需要400萬美元，而轉(zhuǎn)進40納米制程4F2技術(shù)后，投資金額可再下降至200萬美元，由此可知，整個轉(zhuǎn)換制程的過程中，轉(zhuǎn)進50納米制程最花錢，但只要完成此階段性任務(wù)，未來40納米之后的投資額，相對輕松很多。

　　美光表示，最早由68納米轉(zhuǎn)進50納米制程的是美國麻州Virginia廠，目前良率已大幅提升，估計此廠房到年底將有4分之1產(chǎn)能會轉(zhuǎn)進50納米制程，華亞科則會再下半年開始進入50納米制程，屆時美光的50納米制程將可大量生產(chǎn)。

　　2010年即將來臨的40納米大戰(zhàn)，三星和海力士目前進度最快，爾必達雖然目前制程仍停留在65納米制程，但也考慮跳過50納米制程，2010年直接轉(zhuǎn)進40納米，以防技術(shù)落后競爭對手太多;而美光今2009年雖然積極大量轉(zhuǎn)進50納米制程，但對于40納米制程的規(guī)畫，也著手布局。

　　美光指出，新加坡廠將在年底開始導(dǎo)入40納米制程，將是美光旗下第1家導(dǎo)入40納米制程的廠房，為2010年40納米世代來臨作準備，整體而言，美光在2010年的主力制程是50納米，2011年制程技術(shù)以40納米的6F2技術(shù)為主，2012年則預(yù)計導(dǎo)入40納米制程4F2技術(shù)。

　　從70納米制程轉(zhuǎn)進50納米制程，估計成本可下降50%，從50納米轉(zhuǎn)進40納米6F2制程，成本可再下降30%，而從40納米6F2技術(shù)轉(zhuǎn)進4F2技術(shù)，估計成本可再下滑30%。

　　目前多家DRAM廠都紛紛宣布取消無薪假，開始復(fù)工生產(chǎn)，市場擔心正努力朝供需平衡之路邁進的DRAM產(chǎn)業(yè)，會面臨阻礙，美光則表示，目前臺系DRAM廠都停留在落后制程，也很難募得更多資金，來升級機器設(shè)備，因此不認為總體產(chǎn)能會增加太多。