特許半導(dǎo)體四季度上馬32nm工藝 明年轉(zhuǎn)入28nm

　　新加坡特許半導(dǎo)體計(jì)劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進(jìn)一步轉(zhuǎn)入28nm。

　　特許半導(dǎo)體很可能會(huì)在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運(yùn)行計(jì)劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。

　　特許的28nm工藝并非獨(dú)立研發(fā)，而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的，將會(huì)使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅(jiān)定支持者)。

　　特許半導(dǎo)體2009年技術(shù)論壇將在臺(tái)灣新竹市舉行，由該公司CEO謝松輝(Chia Song Hwee)主持，4日還會(huì)在上海舉辦類似的會(huì)議。