英特爾2010年發(fā)布下一代手持平臺(tái)Moorestown

　　2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(IDF)于9月22-24日在美國(guó)舊金山的馬士孔尼會(huì)展中心(Moscone Center West)舉行。 峰會(huì)期間消息顯示，代號(hào)為“Moorestown”的英特爾下一代手持設(shè)備平臺(tái)計(jì)劃于2010年發(fā)布，以移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)和智能手機(jī)為目標(biāo)市場(chǎng)。

　　Moorestown 包括一個(gè)代號(hào)為“Lincroft”，集成45納米英特爾凌動(dòng)處理器核心、圖形與視頻引擎以及內(nèi)存和顯示控制器的片上系統(tǒng)(SoC)。該平臺(tái)還包括代號(hào)為 “Langwell”的輸入/輸出平臺(tái)控制器樞紐(I/O-PCH)，除了數(shù)項(xiàng)板卡級(jí)功能外，它還支持用于和無(wú)線、攝像頭傳感器和閃存連接的多個(gè)I/O模 塊。Moorestown平臺(tái)附帶一個(gè)代號(hào)為“Briertown”的專用混合信號(hào)集成電路(MSIC)，并且采用了下一代操作系統(tǒng)電源管理 (OSPM)。此外，與Moorestown配套的還有最新版本的Moblin軟件——Moblin v2.1。

　　相 比英特爾第一代“Menlow ”平臺(tái)，在SoC、I/O-PCH、MSIC和OSPM的共同作用下，新平臺(tái)的閑置功耗顯著降低了50倍之多，板卡尺寸也縮小了2倍。英特爾目前正與包括 Aava Mobile、華寶通訊、仁寶電子、EB、英業(yè)達(dá)、LG 電子和廣達(dá)在內(nèi)的領(lǐng)先系統(tǒng)制造商合作，進(jìn)行下一代Moorestown設(shè)計(jì)。

　　構(gòu)建高性能

　　Moorestown平臺(tái)旨在為手持設(shè)備提供高性能，從而實(shí)現(xiàn)全面而豐富、媲美PC的互聯(lián)網(wǎng)體驗(yàn)。高性能主要源于Lincroft 片上系統(tǒng)上的45納米高K、超低漏電的晶體管和高度集成的Langwell I/O-PCH樞紐。主要?jiǎng)?chuàng)新包括：

　　• Lincroft 片上系統(tǒng)架構(gòu)旨在為多媒體模塊(圖形、視頻編碼、視頻解碼)提供廣泛的可擴(kuò)展頻率，使其能夠在需要的時(shí)候用適當(dāng)?shù)墓臑橄鄳?yīng)的用途提供所需的性能。

　　• 總線睿頻模式。當(dāng)CPU以較高頻率運(yùn)行時(shí)，該模式可提高總線帶寬并縮短CPU到內(nèi)存的總線延遲， 從而提升整體系統(tǒng)性能。

　　• 英特爾 Burst Performance技術(shù)(英特爾 BPT)使處理器能夠按需突破到更高的性能，在不影響散熱設(shè)計(jì)的情況下，就有可能在更小的設(shè)備中提供更高的性能。

　　• 該平臺(tái)支持英特爾超線程3技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)卓越的性能/能效并支持多任務(wù)為導(dǎo)向的使用模式。

　　• Langwell樞紐將PC與手持設(shè)備I/O(如：MIPI-CSI、SDIO端口、USB控制器、NAND控制器和音頻引擎)相結(jié)合，有助于實(shí)現(xiàn)整個(gè)平臺(tái)的高性能。

　　專為低功耗而設(shè)計(jì)

　　Moorestown平臺(tái)采用了跨Lincroft、Langwell和Briertown技術(shù)的一系列創(chuàng)新。此外，英特爾還利用高-K晶體管和行業(yè)領(lǐng)先的45納米制程來(lái)解決漏電問(wèn)題。實(shí)現(xiàn)低功耗的主要特性包括：

　　• 除了LVDS之外，Lincroft還支持MIPI顯示器接口。采用MIPI可滿足手持設(shè)備顯示屏分辨率的獨(dú)特需求，同時(shí)功耗更低。Lincroft還支持低功耗 DDR1以及DDR2內(nèi)存技術(shù)，以滿足智能手機(jī)和移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的各種不同需求。