鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)
鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段,MLC部分的存儲(chǔ)密度可達(dá)32Gb,寫入壽命達(dá)3萬次,是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲(chǔ)密度為16Gb,寫入壽命同樣為3萬次,是普通SLC產(chǎn)品的3倍.
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/99114.htm鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface),數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S,而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示,明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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