三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導(dǎo)入40納米制程,第4季已開(kāi)始小幅試產(chǎn)DDR3,預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程,成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)同業(yè),而美光 (Micron)陣營(yíng)50納米制程2010年大量產(chǎn)出,爾必達(dá)(Elpida)也將導(dǎo)入Extra 65納米制程,之后跳40納米制程,2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)成本進(jìn)一步下滑。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/99946.htm三星目前56納米制程DRAM產(chǎn)能比重超過(guò)一半,并已開(kāi)始小量采用新一代的40納米制程生產(chǎn)DDR3芯片,成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先同業(yè),市調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估,年底前三星40納米制程由于剛開(kāi)始,因此產(chǎn)能比重還停在個(gè)位數(shù),預(yù)計(jì)2010年第1季40納米制程產(chǎn)能可超過(guò)10%。
目前全球DRAM產(chǎn)業(yè)是4大陣營(yíng)各占一方,雖然幾乎沒(méi)有新產(chǎn)能加入,但制程微縮和合作對(duì)象的改變,也牽動(dòng)各廠版圖風(fēng)貌。
以 2009年第3季全球市占率來(lái)看,三星電子仍是穩(wěn)坐全球龍頭,市占率超過(guò)30%,海力士(Hynix)市占率也超過(guò)20%,穩(wěn)居二哥寶座,其次是爾必達(dá)和美光,兩者合計(jì)策略聯(lián)盟廠商,原本市占率相當(dāng)接近,但爾必達(dá)市占率逐漸提升,拉開(kāi)雙方距離,然預(yù)計(jì)2010年各自導(dǎo)入新制程后,將會(huì)再有一番纏斗。
相較于三星DRAM制程再度領(lǐng)先,海力士也將同步導(dǎo)入40納米制程,而美光陣營(yíng)包括南亞科和華亞科等,2010年將大量產(chǎn)出50納米制程,由于華亞科整體13萬(wàn)片產(chǎn)能相當(dāng)可觀,預(yù)計(jì)2010年可協(xié)助美光陣營(yíng)擴(kuò)展市占率。
再者,爾必達(dá)陣營(yíng)也即將導(dǎo)入Extra 65納米制程,在不用額外增添太多的資本支出下,維持成本下降的競(jìng)爭(zhēng)力,業(yè)界也認(rèn)為,爾必達(dá)Extra 65納米制程的成本競(jìng)爭(zhēng)力,其實(shí)不輸海力士50納米制程,加上2010年茂德為爾必達(dá)代工產(chǎn)能加入,也看好2010年?duì)柋剡_(dá)的成長(zhǎng)性。
整體來(lái)看,三星目前仍是制程領(lǐng)先者,臺(tái)廠原本兩個(gè)世代制程,2010年可逐漸追上,2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)逐漸走向50/40納米制程,驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)成本進(jìn)一步下滑。
評(píng)論