v-nand 文章進(jìn)入 v-nand技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體領(lǐng)域"前淡后旺"

　　全球半導(dǎo)體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟(jì)條件不佳下渡過(guò)了艱辛的2012年，近期在美國(guó)經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)逐漸獲得改善之際，領(lǐng)域在末季看似有了復(fù)蘇跡象。雖然12月份全球半導(dǎo)體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個(gè)月增長(zhǎng)，但依然不足以抵銷市場(chǎng)分析員對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的消極看法。　　考慮到在全球經(jīng)濟(jì)不明朗，對(duì)電子產(chǎn)品需求量帶來(lái)打擊下，市場(chǎng)分析員依然謹(jǐn)慎看待我國(guó)今年的半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進(jìn)一步箝制國(guó)內(nèi)業(yè)者的業(yè)績(jī)表現(xiàn)。無(wú)論如何，在預(yù)計(jì)下半年經(jīng)濟(jì)大環(huán)境獲得改善的情況下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢(shì)上演反
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鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

　　閃存密度越來(lái)越高帶來(lái)的是更大容量的設(shè)備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。　　TLC閃存每單元存儲(chǔ)3bit數(shù)據(jù)，它更高的密度的代價(jià)是相對(duì)較低的寫(xiě)入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態(tài)硬盤(pán)使用這種技術(shù)。　　不過(guò)鎂光也并沒(méi)有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會(huì)用于可移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)，例如SD和USB閃存驅(qū)動(dòng)
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分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報(bào)告，雖然蘋(píng)果公司對(duì)閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級(jí)本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲(chǔ)器市場(chǎng)收益下降了7個(gè)百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過(guò)，經(jīng)過(guò)去年的低迷期，今年收益將有所增長(zhǎng)，達(dá)到224億美元，并在接下來(lái)的幾年內(nèi)持續(xù)增長(zhǎng)。　　具體可參見(jiàn)下表。　　 ? 　　“閃存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋(píng)果iPhone是NAND的
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2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮

據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告，2012年蘋(píng)果iPhone是推動(dòng)NAND閃存消費(fèi)的最大因素。由于超級(jí)本未能實(shí)現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮。
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NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫(xiě)控制設(shè)計(jì)

NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫(xiě)控制設(shè)計(jì),引言

　　NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸?，在?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。NAND Flash
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基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤(pán)掛載分析

基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤(pán)掛載分析,０　引　言
現(xiàn)階段嵌入式產(chǎn)品作為Ｕ盤(pán)掛載到ＰＣ機(jī)上在各類電子產(chǎn)品中被越來(lái)越多的應(yīng)用，Ｌｉｎｕｘ操作系統(tǒng)在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模擬Ｕ盤(pán)掛載到ＰＣ機(jī)中，與ＰＣ機(jī)上通用Ｗｉｎｄｏ
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半導(dǎo)體需求回溫東芝元旦假期將加班趕工

　　日本媒體報(bào)導(dǎo)，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商?hào)|芝(Toshiba)于21日宣布，因半導(dǎo)體需求回溫，故旗下日本半導(dǎo)體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導(dǎo)體工廠今年將不停工持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。　　東芝姬路半導(dǎo)體工廠主要生產(chǎn)馬達(dá)/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測(cè)器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。　　東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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12月上旬主流NAND Flash合約價(jià)小跌1-2%

? 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下研究部門(mén)DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過(guò)，然在NAND Flash原廠持續(xù)對(duì)于零售市場(chǎng)減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價(jià)較11月下旬僅小跌1-2%，預(yù)估緩跌走勢(shì)將持續(xù)至明年1月份。　　集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電，但相關(guān)NAND Flash的營(yíng)運(yùn)沒(méi)有受到影響，現(xiàn)貨價(jià)格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場(chǎng)面觀察，智慧型手機(jī)與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫(xiě)循環(huán)

　　三星840系列固態(tài)硬盤(pán)開(kāi)啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來(lái)看看TLC閃存本身的壽命問(wèn)題。　　遺憾的是，沒(méi)有任何廠商公開(kāi)談?wù)撨^(guò)TLC閃存的可靠程度，只能猜測(cè)編程/擦寫(xiě)循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會(huì)告訴你具體的閃存寫(xiě)入量，再加上寫(xiě)入放大的緣故，根本無(wú)從得知寫(xiě)入了多少數(shù)據(jù)。　　不過(guò)還是有個(gè)變通方法
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大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

1 引言　　隨著嵌人式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、mp3音樂(lè)播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來(lái)越廣泛的應(yīng)用 ...
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賽普拉斯增加了16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口

賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開(kāi)放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲(chǔ)器。
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在nand flash上實(shí)現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng)

在nand flash上實(shí)現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng),JFFS2是Flash上應(yīng)用最廣的一個(gè)日志結(jié)構(gòu)文件系統(tǒng)。它提供的垃圾回收機(jī)制，不需要馬上對(duì)擦寫(xiě)越界的塊進(jìn)行擦寫(xiě)，而只需要將其設(shè)置一個(gè)標(biāo)志，標(biāo)明為臟塊，當(dāng)可用的塊數(shù)不足時(shí)，垃圾回收機(jī)制才開(kāi)始回收這些節(jié)點(diǎn)。同時(shí)，由
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三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

　為了適應(yīng)下代移動(dòng)設(shè)備超輕超薄的特性，SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量?jī)H有0.6克。

　　三星表示，新一代芯片將會(huì)包括16GB，32GB以及64GB等三個(gè)版本。不知道我們能否在下一代三星智能手機(jī)(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?
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三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

下代移動(dòng)設(shè)備超輕超薄的特性，Samsung eMMC Pro Class 1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量?jī)H有0.6克。
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為嵌入式應(yīng)用選擇、實(shí)現(xiàn)NAND閃存海量存儲(chǔ)

標(biāo)簽：NAND POS在嵌入式應(yīng)用中，海量存儲(chǔ)密度正在以前所未有的速度增長(zhǎng)。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)、便攜式導(dǎo)航設(shè)備、無(wú)線網(wǎng)卡、閃盤(pán)這樣的消費(fèi)產(chǎn)品由于需要處理越來(lái)越多的多媒體內(nèi)容而要求更高的海量
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