v-nand 文章進(jìn)入 v-nand技術(shù)社區(qū)

武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲(chǔ)器為特色

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國(guó)有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國(guó)際)經(jīng)營(yíng)管理，從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng)。
關(guān)鍵字： XMC 存儲(chǔ)器 NAND

東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時(shí)該模塊符合最新的e·MMC?[1]標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
關(guān)鍵字：東芝嵌入式 NAND

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲(chǔ)器管理接口結(jié)合I/O口來(lái)實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。
關(guān)鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲(chǔ)器 NAND 寄存器 201312

Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場(chǎng)份額

全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實(shí)現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前，Marvell擁有豐富的端到端存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、移動(dòng)和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無(wú)二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
關(guān)鍵字： Marvell 固態(tài)硬盤 NAND

可管理NAND：適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)

與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)...
關(guān)鍵字： NAND 移動(dòng)設(shè)備大容量存儲(chǔ)

10月快閃存儲(chǔ)器NAND供過于求合約價(jià)看漲

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價(jià)看漲。　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國(guó)大陸無(wú)錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)價(jià)格飆漲，同時(shí)激勵(lì)9月NANDFlash合約價(jià)上漲3%至6%。　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場(chǎng)銷售并無(wú)好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無(wú)錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場(chǎng)供過于求情況可望趨緩。　　集邦預(yù)期，近期1至2個(gè)月
關(guān)鍵字：快閃存儲(chǔ)器 NAND

用DNW通過USB燒uboot到nand

燒寫前提：已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動(dòng)才可以使用US...
關(guān)鍵字： DNW USB uboot nand

采取多元化戰(zhàn)略，加強(qiáng)在華合作

編者按：8月初，Spansion宣布兩項(xiàng)重大舉措：一，完成對(duì)富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購(gòu);二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議?？梢?，Spansion由最大的獨(dú)立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國(guó)代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對(duì)華戰(zhàn)略如何?
關(guān)鍵字：富士通 Spansion MCU NAND 201309

三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達(dá)到1xnm N
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)

　　不讓韓國(guó)三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺(tái)后段封測(cè)廠力成(6239)營(yíng)運(yùn)挹注成長(zhǎng)動(dòng)能。　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定，因?yàn)樘O果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。　　研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

據(jù)IHS公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，今年第一季度中國(guó)低端智能手機(jī)的需求大增，讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及，刺激了NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
關(guān)鍵字： IHS NAND

第一季度SSD出貨勁增，尤其是在超級(jí)本與PC平板領(lǐng)域

據(jù)IHS公司的存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，超薄/超級(jí)本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動(dòng)了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
關(guān)鍵字： IHS SSD NAND HDD

芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片廠商尚未打破增長(zhǎng)-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會(huì)SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是，盡管對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長(zhǎng)的預(yù)期落空，但明年的前景要光明得多。　　SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì))預(yù)計(jì)，2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測(cè)，2014年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將猛增21%。　　當(dāng)然，SEMI以往曾對(duì)芯片制造設(shè)備營(yíng)收作出過高的預(yù)期。1年前，SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將增長(zhǎng)約1
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2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷明年會(huì)變好

　　根據(jù)國(guó)外媒體的報(bào)道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預(yù)計(jì)芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收會(huì)增長(zhǎng)10%。　　這次衰退預(yù)計(jì)同樣出自SEMI，這表明此前他們對(duì)2013年的樂觀預(yù)計(jì)已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開始，以NAND閃存為首的芯片廠商對(duì)芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺(tái)積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因?yàn)橄M(fèi)類電子產(chǎn)品對(duì)芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動(dòng)的統(tǒng)治地位。　　不過SEMI依然對(duì)2014年的發(fā)展
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中國(guó)廠商成全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)新引擎

　　導(dǎo)語(yǔ)：路透社今天撰文指出，近年來(lái)高端手機(jī)市場(chǎng)的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長(zhǎng)也開始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國(guó)移動(dòng)廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起，以及中國(guó)移動(dòng)市場(chǎng)的火爆，中國(guó)力量正成為全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)的新引擎。　　以下為文章全文：　　重新掌握主動(dòng) 　　隨著中國(guó)低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增，以及華為等中國(guó)移動(dòng)設(shè)備廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲(chǔ)芯片廠商有望從這種趨勢(shì)中獲得重要回報(bào)。中國(guó)目前已取代美國(guó)，成為全球第一大智能手機(jī)市場(chǎng)
關(guān)鍵字： DRAM NAND