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v-nand 文章 進(jìn)入 v-nand技術(shù)社區(qū)
英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然
- 英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見(jiàn)英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動(dòng)裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職,更引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)者一陣嘩然,目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營(yíng)銷服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代,而相關(guān)模塊廠對(duì)此表示,雙方合作關(guān)系不會(huì)受影響。
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平板計(jì)算機(jī)起飛帶動(dòng)NAND Flash需求
- 集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示,在Android可望逐漸成熟,市場(chǎng)接受度提高,預(yù)期2011年平板計(jì)算機(jī)出貨量由今年的1500萬(wàn)臺(tái)大增至5000萬(wàn)臺(tái)的規(guī)模,可說(shuō)是平板計(jì)算機(jī)起飛年,將帶動(dòng)內(nèi)建式NAND Flash應(yīng)用,預(yù)估2011年平板計(jì)算機(jī)占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。
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Gartner下調(diào)2011年度半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)
- 根據(jù)Gartner發(fā)布的報(bào)告,該公司下調(diào)對(duì)于明(2011)年度半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的預(yù)測(cè);原先該公司預(yù)期將成長(zhǎng)4.9%,現(xiàn)在預(yù)期將縮減1%。另外,Gartner原先預(yù)估今年成長(zhǎng)113%,現(xiàn)在估計(jì)可達(dá)131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出,今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來(lái)最強(qiáng)勁的成長(zhǎng),不過(guò)2011年度的市場(chǎng)將比較疲軟,屆時(shí)設(shè)備采購(gòu)主要的重點(diǎn)將在于產(chǎn)能的擴(kuò)充而不是在技術(shù)設(shè)備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬,NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備 NAND
美光新加坡廠明年投產(chǎn)
- 美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn),已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座,在擴(kuò)產(chǎn)速度上,美光在2011年也不會(huì)缺席,與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開(kāi)始投產(chǎn),對(duì)于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫,美光表示不擔(dān)心供過(guò)于求,在產(chǎn)能增加的同時(shí),平板計(jì)算機(jī)等應(yīng)用也大幅崛起,預(yù)計(jì)2011年NAND Flash市場(chǎng)供需可維持健康的狀態(tài)。
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臺(tái)灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
- 臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器,計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲(chǔ)器廠及晶圓代工廠加入,首波會(huì)先洽談臺(tái)系存儲(chǔ)器廠,目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn),讓臺(tái)灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
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東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%
- 華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來(lái)的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂(lè)播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。 東芝表示,這次的跳電事件可能影響未來(lái)2個(gè)月的產(chǎn)能,減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn),總產(chǎn)出約占市場(chǎng)產(chǎn)能的3分之1,出貨量?jī)H次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 接下來(lái)幾個(gè)月,全球的快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)的供
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資
- 2010年在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)界,各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此,市場(chǎng)上的份額競(jìng)爭(zhēng)再次變得激烈起來(lái)。 2008~2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而,進(jìn)入2010年下半年后,以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢(shì)。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面,微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈,以突破現(xiàn)有存儲(chǔ)器極限為目標(biāo)的新存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)也越來(lái)越活躍。
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 NAND
應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將保持5%的成長(zhǎng)率
- 針對(duì)2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢(shì),設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出,2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長(zhǎng),幅度將勝過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè),晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁,預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將有持平至5%的成長(zhǎng)幅度。
- 關(guān)鍵字: 應(yīng)用材料 NAND
v-nand介紹
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