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2009年亞太半導(dǎo)體供應(yīng)商表現(xiàn)出色

　　來(lái)自調(diào)研公司 iSuppli的統(tǒng)計(jì)顯示，2009年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下滑狀態(tài)，但總部在亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商卻實(shí)現(xiàn)了逆勢(shì)上漲。　　亞太區(qū)供應(yīng)商專注熱門產(chǎn)品　　iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，2009年總部位于亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商合計(jì)營(yíng)業(yè)收入實(shí)際增長(zhǎng)2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。　　“去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢(shì)黯淡，而亞太地區(qū)的供應(yīng)商卻設(shè)法實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)，因?yàn)樗麄儗Ｗ⒂?/li>
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東芝計(jì)劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

　　東芝公司今年計(jì)劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗(yàn)生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。　　目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等電子消費(fèi)產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進(jìn)行相應(yīng)的技術(shù)升級(jí)。目前，東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購(gòu)設(shè)備，預(yù)計(jì)在今年夏天試驗(yàn)投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達(dá)3.5%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)同類電氣機(jī)器指數(shù)0.8%的漲幅
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Micron發(fā)布季度報(bào)告 DRAM銷售環(huán)比增長(zhǎng)24%

　　Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財(cái)年第二季度的運(yùn)營(yíng)成果。對(duì)于2010財(cái)年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達(dá)近20億美元。相比之下，2010財(cái)年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財(cái)年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財(cái)年之前各個(gè)時(shí)期的金額及
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海力士預(yù)期今年?duì)I收將達(dá)10年高點(diǎn)

　　由于目前存儲(chǔ)器供應(yīng)短缺、供不應(yīng)求，全球第2大存儲(chǔ)器廠商海力士(Hynix)預(yù)期2010年的營(yíng)收可望達(dá)到10年來(lái)的最高點(diǎn)。　　目前DRAM市場(chǎng)正處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟(jì)逐漸回溫后，企業(yè)放寬支出，對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)的需求也回升，光是2010年P(guān)C銷量就可能較2009年增加10%，帶動(dòng)了DRAM的需求量上升。　　另外，智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及其它行動(dòng)設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對(duì)于存儲(chǔ)器芯片需求量節(jié)
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閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價(jià)格穩(wěn)定帶來(lái)正面環(huán)境

　　據(jù)iSuppli公司，由于來(lái)自高密度應(yīng)用的需求上升以及供應(yīng)商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長(zhǎng)，NAND閃存價(jià)格波動(dòng)了兩年之后，該市場(chǎng)已恢復(fù)穩(wěn)定。　　第一季度NAND平均價(jià)格下降4%，而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對(duì)溫和的變化，2009年第一季度大漲34%。　　NAND價(jià)格持續(xù)透明，導(dǎo)致2009年第四季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄，使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對(duì)于2010年持有非常樂(lè)觀的看法。在智能手機(jī)和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)于NAND閃存的需求不斷增長(zhǎng)，也增強(qiáng)了廠商的信心。這種旺盛需
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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓元

　　三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。　　YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間
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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜

　　三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。　　Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
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三星公司Fab13/Fab14內(nèi)存/閃存芯片工廠再遭斷電事故侵?jǐn)_

　　韓國(guó)三星電子公司近日表示本月24日下午，其設(shè)在Kiheung地區(qū)的一個(gè)NAND閃存生產(chǎn)基地遭遇了斷電事故，不過(guò)據(jù)三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小時(shí)的斷電并沒(méi)有對(duì)其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產(chǎn)造成顯著影響。　　據(jù)三星的通路合作伙伴透露，在這次停電事故中受到影響的工廠主要包括三星旗下兩間12英寸廠Fab13和Fab14.其中Fab13主要負(fù)責(zé)為三星生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而Fab14則主要生產(chǎn)NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產(chǎn)能大約分別是12萬(wàn)/13萬(wàn)片晶圓。　　無(wú)獨(dú)有偶，20
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東芝宣布其Fab5新廠房將于今年七月份開(kāi)工建造

　　東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現(xiàn)有的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠，這間芯片廠將于今年七月份開(kāi)始動(dòng)工。目前，東芝設(shè)在四日市的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心已建有四間NAND閃存芯片廠。盡管2008年秋季爆發(fā)了全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)，而NAND閃存芯片的市場(chǎng)需求也一度相當(dāng)萎靡，但近期隨著智能手機(jī)和其它應(yīng)用型產(chǎn) 品的熱銷，閃存芯片的市場(chǎng)需求已經(jīng)開(kāi)始回暖，而且未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)還將保持增長(zhǎng)趨勢(shì)，因此東芝最終作出了開(kāi)工建造Fab5芯片廠的決定。　　按照東芝的計(jì)劃，其Fab5工廠將于明年春季完工，而后期的投資力度和
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NAND Flash控制芯片業(yè)淘汰賽登場(chǎng)　SSD時(shí)代加速產(chǎn)業(yè)整合

　　NAND Flash控制芯片市場(chǎng)曾吸引眾多IC設(shè)計(jì)業(yè)者爭(zhēng)相投入，隨著快閃記憶卡市場(chǎng)飽和，以及固態(tài)硬碟(SSD)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手環(huán)伺，過(guò)去擁有NAND Flash大廠作靠山便是票房保證的時(shí)代已不再，未來(lái)NAND Flash大廠對(duì)于控制芯片業(yè)者而言，恐怕不再是大樹(shù)好乘涼，尤其包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠在走進(jìn)SSD時(shí)代后，由于用在PC的零組件輕忽不得，遂紛收回控制芯片采購(gòu)權(quán)，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片產(chǎn)業(yè)勢(shì)必將展開(kāi)一波整合及淘汰賽。　　N
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東芝重啟產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃新閃存生產(chǎn)廠7月開(kāi)工

　　日本最大的內(nèi)存芯片廠商?hào)|芝將重啟因經(jīng)濟(jì)衰退而擱置的產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃，它將從7月開(kāi)始建設(shè)新的閃存生產(chǎn)廠。　　東芝表示，新生產(chǎn)廠位于日本中部四日市，是公司第五條生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2011年春季完建。東芝沒(méi)有透露該生產(chǎn)廠的建設(shè)成本。　　包括蘋果iPhone在內(nèi)的智能手機(jī)銷售的增長(zhǎng)，推動(dòng)了NAND內(nèi)存需求的增長(zhǎng)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司 iSuppli預(yù)計(jì)，NAND閃存市場(chǎng)今年的總收入將增長(zhǎng)34%達(dá)到181億美元。　　東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠的投資規(guī)模，但是建立新
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Intel、美光25nm NAND閃存二季度開(kāi)售

　　Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開(kāi)始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。　　IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到30nm之下，并應(yīng)用了沉浸式光刻技術(shù)。新閃存內(nèi)核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總?cè)萘?GB，相比現(xiàn)有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內(nèi)核面積卻小了十分之一。　　Intel NA
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09年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下滑亞太供應(yīng)商表現(xiàn)出色

　　2009年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)急劇下滑，但亞太的芯片廠商安然無(wú)恙?？偛吭趤喬貐^(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商，2009年合計(jì)營(yíng)業(yè)收入實(shí)際增長(zhǎng)2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。　　“去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢(shì)黯淡，而亞太地區(qū)的供應(yīng)商卻設(shè)法實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)，因?yàn)樗麄儗Ｗ⒂跓衢T半導(dǎo)體產(chǎn)品而且受益于該地區(qū)的強(qiáng)勁需求，”iSuppli公司市場(chǎng)情報(bào)服務(wù)資深副總裁Dale Ford表示，“
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SanDisk變身開(kāi)始對(duì)外供應(yīng)NAND閃存晶圓

　　據(jù)報(bào)道，包括威剛、創(chuàng)見(jiàn)、PQI勁永等在內(nèi)的臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商以及閃存控制器廠商群聯(lián)電子近期都已經(jīng)開(kāi)始從SanDisk公司購(gòu)買NAND閃存晶圓。這意味著SanDisk已經(jīng)從自有品牌閃存設(shè)備制造商，搖身一變成了NAND晶圓供應(yīng)商。　　據(jù)稱，SanDisk已經(jīng)從閃存制造合作伙伴東芝一道，成了多家臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商的上游供應(yīng)商之一。實(shí)際上，自2008年起就有傳言稱SanDisk將對(duì)外供應(yīng)NAND閃存，但在當(dāng)時(shí)在全球閃存市場(chǎng)供求旺盛的狀況下，SanDisk一致謹(jǐn)慎的實(shí)行自有品牌的戰(zhàn)略。隨著近一兩年全球金融危機(jī)以
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SanDisk-東芝聯(lián)盟憑借三位元技術(shù)扭轉(zhuǎn)戰(zhàn)局

　　最近NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)內(nèi)部的競(jìng)爭(zhēng)激烈程度已經(jīng)到了白熱化的階段，今年一月份，Intel-鎂光聯(lián)盟剛剛宣布將在今年量產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，其對(duì)手SanDisk-東芝聯(lián)盟便隨后以牙還牙，宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。　　　　據(jù)SanDisk公司展示的產(chǎn)品發(fā)展路線圖顯示，SanDisk-東芝聯(lián)盟推出的24nm制程N(yùn)AND閃存芯片將可適用于兩位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)和三位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)。而Intel-鎂光聯(lián)盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲(chǔ)單
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