半導(dǎo)體存儲器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資

　　2010年在半導(dǎo)體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競爭愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標(biāo)的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。

　　象征著半導(dǎo)體存儲器業(yè)界的設(shè)備投資出現(xiàn)恢復(fù)跡象的，是東芝開工建設(shè)NAND閃存新工廠。東芝預(yù)定2009年春季開工建設(shè)的“Fab5”延期很久之后，終于定于2010年7月開始動工。該工廠為東芝與美國晟碟(SanDisk)對半出資，最快將于2011年夏季投入使用。決定建設(shè)該工廠是因?yàn)椋S著智能手機(jī)和平板終端等新應(yīng)用的出現(xiàn)，預(yù)計(jì)NAND閃存的需求將長期大幅增長。韓國三星電子及韓國海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)等競爭企業(yè)也相繼進(jìn)行了NAND閃存的增產(chǎn)投資。

　　NAND閃存的微細(xì)化競爭從2010年開始進(jìn)入了2Xnm工藝。在2Xnm工藝閃存的量產(chǎn)中先行一步的是美國美光科技(Micron Technology)與英特爾的合資企業(yè)。盡管兩家公司涉足NAND閃存較晚，但通過果斷采取微細(xì)化戰(zhàn)略，目前已經(jīng)領(lǐng)先于其他公司。三星、海力士以及東芝與晟碟的合資企業(yè)緊隨其后，也開始量產(chǎn)2Xnm工藝閃存，形成了四分天下的格局。NAND閃存在1Xnm左右工藝中即將達(dá)到微細(xì)化極限，各公司紛紛開始加速開發(fā)“后NAND”。東芝計(jì)劃在動工建設(shè)的Fab5中，在第二期開始量產(chǎn)后NAND。

　　2008～2009年，DRAM廠商全部出現(xiàn)大幅虧損，隨著供需平衡的改善，2010年上半年出現(xiàn)明顯改善。爾必達(dá)存儲器2010年4～6月的銷售額和營業(yè)利潤均創(chuàng)下了單季度歷史最高記錄。在這種背景下，各公司開始進(jìn)行增產(chǎn)。進(jìn)入2010年下半年后，價(jià)格隨之轉(zhuǎn)為下降，各廠商的出色業(yè)績開始籠罩上一層陰影。

　　目前，DRAM廠商的主戰(zhàn)場是個人電腦，今后還將包括智能手機(jī)和平板終端。2010年是這一趨勢逐漸明確的一年。各廠商均推出了用于這些用途的低功耗DRAM產(chǎn)品。

　　DRAM的微細(xì)化競爭在2010年進(jìn)入了3Xnm工藝。量產(chǎn)方面，三星與爾必達(dá)存儲器已領(lǐng)先于其他公司。針對2Xnm以下的微細(xì)化極限，DRAM廠商與NAND閃存廠商一樣、開始致力于新存儲器的開發(fā)。比如，爾必達(dá)存儲器聯(lián)手夏普、東京大學(xué)及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所，共同進(jìn)行Gbit級可變電阻式存儲器(ReRAM)的開發(fā)。