首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-nand

2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化

  • 　　NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限，因此2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。 　　近期NAND Flash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb
  • 關(guān)鍵字： Hynix  NAND  

海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

  • 　　全球第2大計(jì)算機(jī)存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。 　　2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因?yàn)镈RAM及NAND Flash存儲器出貨量成長，同時，DRAM平均售價也上揚(yáng)，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。 　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%，至于N
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  NAND  

內(nèi)存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購買海力士

  • 　　業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國海力士半導(dǎo)體公司以購買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 　　此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應(yīng)商數(shù)量并且保證能通過預(yù)付款的方式獲得足夠多的芯片供應(yīng),而威剛所需要的內(nèi)存此前主要來自韓國供應(yīng)商. 　　內(nèi)存模塊制造商正在擺脫對三星電子的依賴,因?yàn)槿请娮觾?yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨. 　　另外有消息稱,海力士
  • 關(guān)鍵字： 金士頓  內(nèi)存  NAND  

為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

  • 　　存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達(dá)最先退出。奇夢達(dá)的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。 　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲器也是走在前列，如
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  NAND  NOR  SRAM  

金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

  • 　　2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  NAND   

三星推出64GB moviNAND閃存芯片

  • 　　三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB，封裝內(nèi)部堆疊了16塊超薄設(shè)計(jì)的4GB芯片，并集成了閃存控制器，而整個芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。   　　64GB moviNAND 　　另外，三星還計(jì)劃升級自己的microSDHC閃存卡產(chǎn)品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內(nèi)部由8片4GB芯片堆疊而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同時，閃存卡的最
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

  • 　　編者點(diǎn)評(莫大康 SEMI China顧問)：國際上有許多市場分析公司與機(jī)構(gòu)，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預(yù)測值不同，有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測都有三類，即樂觀、中等和悲觀。另外，由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗(yàn)值)，如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設(shè)備材
  • 關(guān)鍵字： IC  NAND  DRAM  

飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

  • 　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線，一個原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。 　　這款SSD具體型號RealSSD C300，2.5寸外形設(shè)計(jì)，包含128和256GB兩種型號，讀取速度高達(dá)355MB/s,寫入速度達(dá)215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預(yù)計(jì)將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價大約450美元。 　　
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  34納米  NAND  SSD  

東芝32nm制程N(yùn)AND閃存SSD硬盤將于二季度上市

  • 　　日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤產(chǎn)品中采用了自己設(shè)計(jì)的 NAND閃存控制器，這種產(chǎn)品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經(jīng)開始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片，不過目前東芝所售出的SSD硬盤產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力，這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術(shù)帶來低成本實(shí)惠。 　　不過東芝近日宣布，他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產(chǎn)品，并將于本季度推出
  • 關(guān)鍵字： 東芝  32nm  NAND  閃存制造  

一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫存

  • 　　據(jù)iSuppli公司，經(jīng)過2009年對膨脹的庫存大幅削減 ，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在2010年第一季度維持低量庫存，以期在不明朗的經(jīng)濟(jì)環(huán)境中能獲益。 　　半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫存天數(shù)(DOI)預(yù)計(jì)將在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%，第一季度的庫存預(yù)計(jì)比這一標(biāo)準(zhǔn)還低6.9%。而第一季度的庫存會維持在可滿足要求的平衡水平上，庫存將達(dá)到非常低的水平--甚至有幾種具體設(shè)備會接近短缺的邊緣。   　　圖示為iSuppli
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  NAND  

iSuppli：全球芯片庫存保持緊縮 NAND閃存或短缺

  • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli的調(diào)查，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在第一季度保持輕庫存，以便在不確定的經(jīng)濟(jì)形勢下保持盈利。 　　第一季度末庫存天數(shù)預(yù)計(jì)將減少至68.3天，上季度為68.5天。去年第四季度，庫存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平均水平2.9%，第一季度預(yù)計(jì)將較普通水平少6.9%。 　　iSuppli預(yù)測，由于庫存量仍將保持在較低水平，某些特殊器件將面臨短缺。 　　2010年，預(yù)計(jì)庫存天數(shù)將穩(wěn)定在近70天左右。緊縮的庫存管理將幫助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲得兩位數(shù)增長，增長幅度預(yù)計(jì)為15.4%，而2009年減少12.4%
  • 關(guān)鍵字： 芯片  NAND  

威剛陳立白：今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

  • 　　存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價格維持平穩(wěn)，預(yù)計(jì)對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事，往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會見到淡季不淡，也不見五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價格則預(yù)計(jì)會起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。 　　威剛2009年進(jìn)行高層人士調(diào)整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔(dān)任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
  • 關(guān)鍵字： 威剛  存儲器  NAND   

韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格

  • 　　韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 　　反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 　　2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價格的事實(shí)，之后已針對全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 　　韓國快閃記
  • 關(guān)鍵字： 海力士  NAND  DRAM  

韓國FTC：NAND Flash大廠無操控價格

  • 　　據(jù)華爾街日報(bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關(guān)的操控價格調(diào)查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。 　　韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價格的不法行為，并調(diào)查4家全球存儲器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。 　　存儲器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個國家調(diào)查是否存在柯斷，近期
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  存儲器芯片  NAND   

韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)違法行為

  • 　　韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據(jù)。 　　該機(jī)構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中，兩家位于韓國，其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點(diǎn)出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設(shè)備，包括數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)。 　　根據(jù)三星電子和東芝的說法，今年8月，美國司法部也結(jié)束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。 　　市場調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
  • 關(guān)鍵字： 海力士  NAND  閃存芯片  
共1113條 57/75 |‹ « 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 » ›|

v-nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 v-nand的理解，并與今后在此搜索 v-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473