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三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱“BTG”)今天向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)提出申訴,稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項(xiàng)專利,要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 BTG申訴材料稱,涉案專利與采用“多層存儲(chǔ)單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本,并提高存儲(chǔ)密度。 申訴材料指出,包括手機(jī)、攝像機(jī)、筆記本和
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海力士41納米通過認(rèn)證 切入蘋果供應(yīng)鏈
- 海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運(yùn)多舛,之前48納米制程量產(chǎn)不順,加上減產(chǎn)之故,幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè),直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利,才開始活躍起來,日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈,獲得認(rèn)證通過,可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 海力士2008年下半開始,NAND Flash出貨量變得相當(dāng)少,一方面是48納米制程量產(chǎn)不順,另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤,導(dǎo)致虧損
- 關(guān)鍵字: Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲(chǔ)器
NAND Flash買氣淡 7月下旬合約價(jià)仍穩(wěn)住陣腳
- 7月下旬NAND Flash合約價(jià)在一片淡季聲中,仍是穩(wěn)住陣腳,除了32Gb和64Gb容量的芯片,小幅下跌1~3%外,其它容量呈現(xiàn)持平。模塊廠表示,三星電子(Samsung Electronics)釋出數(shù)量不多,因此即使市場(chǎng)的買氣平平,NAND Flash價(jià)格下跌壓力有限,而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)則是維持低價(jià)搶單的策略;市調(diào)機(jī)構(gòu)英鼎(inSpectrum)預(yù)估,全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會(huì)較第2季成長(zhǎng)25%,估計(jì)約16.26億顆(以8Gb容量計(jì)算)。 根據(jù)英鼎
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臺(tái)塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科
- 臺(tái)塑集團(tuán)布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極,除集團(tuán)挹注資金、爭(zhēng)取國(guó)發(fā)基金投資,近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股,打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時(shí)進(jìn)行,目前整起投資案正由外資機(jī)構(gòu)評(píng)估中。存儲(chǔ)器業(yè)者透露,華亞科擬引進(jìn)英特爾投資,主要關(guān)鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動(dòng)作,阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)坐大,甚至威脅英特爾在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位。 存儲(chǔ)器業(yè)者透露,華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金,除爭(zhēng)取資金挹注,另一個(gè)重要原因,就是希望藉
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英特爾推出業(yè)內(nèi)首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤
- 英特爾公司已經(jīng)開始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設(shè)計(jì),34 納米產(chǎn)品將使SSD的價(jià)格(與一年前推出產(chǎn)品時(shí)的價(jià)格相比)降低60%,為PC和筆記本電腦制造商及消費(fèi)者帶來實(shí)惠。 多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺(tái)式機(jī),有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。SSD是電腦中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。由于SSD不包括任何移動(dòng)部件,因此與傳統(tǒng)硬盤(
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英特爾、美光NAND Flash殺價(jià)大反攻 三星買氣清淡
- 隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程N(yùn)AND Flash產(chǎn)品,應(yīng)戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程,不但制程技術(shù)領(lǐng)先,近期英特爾和美光在價(jià)格策略上,更是上演絕地大反攻計(jì)畫,以超低價(jià)策略搶食三星地盤。下游廠商透露,近期英特爾和美光32Gb芯片價(jià)格硬是比其它品牌便宜1美元,相較于三星更是便宜將近3美元,價(jià)差相當(dāng)驚人,而此策略亦讓英特爾陣營(yíng)近期NAND Flash產(chǎn)品詢問度大增,三星在現(xiàn)貨市場(chǎng)活絡(luò)度則降低。 英特爾
- 關(guān)鍵字: Intel 34納米 NAND 42納米
三星電子增加下半年在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資
- 電子行業(yè)報(bào)紙ETnews周五報(bào)導(dǎo)稱,預(yù)計(jì)韓國(guó)三星電子下半年在一個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。 該報(bào)未指明消息來源稱,三星下半年在芯片業(yè)務(wù)方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動(dòng)上稱,三星預(yù)計(jì)下半年投資“略高于”上半年。 該公司多次拒絕透露今年的資本投資計(jì)劃規(guī)模,或是迄今的已投資額。 ETnews報(bào)稱,芯片業(yè)務(wù)下半年的投資將側(cè)重于引進(jìn)更先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù),比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 30納米 NAND
NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性
- 周一消息 研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出,NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現(xiàn)象,大幅削弱了之前對(duì)2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預(yù)期。 iSuppli專研行動(dòng)和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示,近期NAND閃存價(jià)格上漲,對(duì)閃存供貨商來說來說是好事,但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因?yàn)镾SD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當(dāng)NAND閃存價(jià)格上漲,SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷量就會(huì)減緩。 多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存,其平均價(jià)格大幅上漲12
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英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競(jìng)賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭(zhēng)得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲(chǔ)器下降周期時(shí)尺寸縮小競(jìng)賽并無實(shí)際的意義。 按分析師報(bào)告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計(jì)劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。 在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。 究竟誰是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時(shí)候報(bào)道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM NAND 存儲(chǔ)器
全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲(chǔ)器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續(xù)因市場(chǎng)需求疲軟而下降。 原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲(chǔ)器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開始利潤(rùn)有所好轉(zhuǎn)。 由于供應(yīng)商擔(dān)心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導(dǎo)致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況,近期DRAM合同價(jià)格趨勢(shì)在零售價(jià)基礎(chǔ)上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價(jià)
- 關(guān)鍵字: 英特爾 DRAM NAND 34納米
09年固態(tài)硬盤市場(chǎng)份額不會(huì)大提升
- 雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內(nèi)容,但是由于價(jià)格過高的原因今年固態(tài)硬盤的市場(chǎng)份額將不會(huì)太高.根據(jù)DRAMeXchange的最新調(diào)查報(bào)告表明,固態(tài)硬盤在標(biāo)準(zhǔn)筆記本電腦的市場(chǎng)份額2009年將維持在1%-1.5%,同時(shí)由于眾多廠商在主流存儲(chǔ)設(shè)備上依然選擇的是機(jī)械式硬盤,因此在低端PC上的市場(chǎng)份額將不到10%,這里應(yīng)該主要指的是上網(wǎng)本產(chǎn)品. 較高的價(jià)格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場(chǎng)的侵入,根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內(nèi)存芯片的價(jià)格走勢(shì),SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)接受度將會(huì)下降.
- 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤 NAND 內(nèi)存芯片
Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤
- 近來謠言越來越厲,市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程N(yùn)AND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報(bào)道稱英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗(yàn)室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存,不過時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時(shí)間不久,其成本高,容量有限,有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程N(yùn)AND閃存推出,固態(tài)硬盤的價(jià)格將大大降低,容量也將達(dá)到320GB左右。 固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)單元分為MLC(Multi-Level Cell,多層單元)和SLC(Single Layer Cell,單層單元)兩種。MLC
- 關(guān)鍵字: 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
利潤(rùn)驚人 iPhone 3GS成本僅179美元
- 雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤(rùn)已經(jīng)是婦孺皆知的事情,但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前,以經(jīng)常拆卸廣受歡迎的消費(fèi)電子產(chǎn)品而聞名的iSuppli,通過初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關(guān)鍵部件的供應(yīng)商及評(píng)估產(chǎn)品成本。據(jù)悉,第三代蘋果手機(jī)iPhone3GS的成本為178.96美元,比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價(jià)。 通常而言,最新一代產(chǎn)品的成本要低于上一代,尤其對(duì)于iPh
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